Europäischer Halbleiterhersteller mit Fab-Joint-Ventures in Frankreich und China STMicroelectronics und GlobalFoundries: Vereinbarung zu neuer 300-mm-Fab steht

Anbieter zum Thema

ROHM Semiconductor GmbH

Axivion GmbH

STMicroelectronics Design and Aplication GmbH

GLOBALFOUNDRIES Europe Ltd Zweigndl. Deutschland

Knapp ein Jahr nach der ersten Ankündigung geben STMicroelectronics und GlobalFoundries jetzt den formalen Abschluss einer Vereinbarung zum Bau einer gemeinsamen genutzten neuen Halbleiterfertigung im französischen Crolles bekannt. Und auch in China hat STMicroelectronics ein Fab-Joint-Venture gegründet.

Im Juli letzten Jahres hatten der Halbleiterentwickler und -hersteller STMicroelectronics (ST) und der Auftragsfertiger GlobalFoundries (GF) eine Absichtserklärung über den Bau einer neuen, gemeinsam betriebenen 300-mm-Chipfabrik in Crolles, Südfrankreich, unterzeichnet. Nun geben beide Parteien den formalen Abschluss der Vereinbarung bekannt, in deren Rahmen angrenzend an STs bestehende 300-mm-Fab eine neue Fertigung entstehen wird, die bis 2026 ihre volle Kapazität von bis zu 620.000 300-mm-Wafern erreichen soll – produziert vor allem in der stromsparenden FD-SOI-Prozesstechnik (Fully Depleted Silicon-on-Insulator).

Für dieses Projekt rechnen die beiden Partner mit Gesamtkosten in Höhe von 7,5 Milliarden Euro für Investitionen, Wartung und Nebenkosten. Laut Verlautbarung unterstützt der französische Staat die Maßnahme finanziell erheblich. Und auch die Förderung im Rahmen des „European Chip Act“ als Teil des Plans „France 2030“ wurde kürzlich von der Europäischen Kommission genehmigt.

Unterstützung durch Frankreich und die EU

GlobalFoundries-CEO Dr. Thomas Caulfield dankte dem französischen Wirtschafts- und Finanzminister und dessen Team für die Unterstützung über die vergangenen mehr als zwölf Monate, ohne die diese Vereinbarung nicht hätte geschlossen werden können: „Zusammen mit ST in Crolles bauen wir die Präsenz von GF in Europas dynamischem Technologie-Ökosystem weiter aus und profitieren von ökonomischen Skaleneffekten, um auf sehr kosteneffiziente Weise zusätzliche Kapazität bereitstellen zu können.“ Gemeinsam werde man sowohl mit der eigenen FDX-Technologie als auch mit STs umfangreicher Technologie-Roadmap auf die erwartete, weiterhin hohe Nachfrage über die nächsten Jahrzehnte reagieren können.

Auch Jean-Marc Chery, President und CEO von STMicroelectronics, hob die Unterstützung der französischen Regierung sowie der Europäischen Kommission für die Fab-Vereinbarung hervor und meinte: „Hierdurch werden ST und GF das europäische und französische FD-SOI-Ökosystem weiter stärken und mehr Kapazität für unsere europäischen wie auch globalen Kunden aufbauen.“ Die entstehenden komplexen Halbleitertechnologien zielten auf Schlüsselmärkte wie Automotive, IoT, Mobilität und Kommunikation, welche sich im Übergang zu Digitalisierung und Dekarbonisierung befänden. Die neue Fertigungseinrichtung sei zudem ein wichtiger Baustein für STs Ziel, den Umsatz auf über 20 Milliarden US-Dollar zu steigern.

ST: Fab-Joint-Venture auch in China

Doch nicht nur in Europa schmiedet STMicroelectronics Fertigungsallianzen, auch in China verfolgt das Unternehmen ähnliche Ziele. So unterzeichnete ST Anfang Juni mit dem chinesischen Unternehmen Sanan Optoelectronics eine Vereinbarung, die den Bau einer gemeinsamen 200-mm-SiC-Waferfab im chinesischen Chongqing umfasst. Neben SiC-Halbleitern hat Sanan Optoelectronics auch LEDs, Bauteile für die optische Kommunikation sowie HF-, Filter- und GaN-Produkte im Programm.

Die Fertigung in der neuen SiC-Fab soll im vierten Quartal 2025 anlaufen, die volle Fertigungskapazität soll dann ab 2028 bereitstehen, um den wachsenden chinesischen Bedarf für Elektrofahrzeuge sowie industrielle Leistungs- und Energieanwendungen zu decken. Parallel dazu wird Sanan Optoelectronics eine separate neue Produktionsstätte für 200-mm-SiC-Substrate auf Basis des firmeneigenen SiC-Prozesses aufbauen und betreiben, welche den Bedarf des Joint Ventures decken soll.

3,2 Milliarden US-Dollar Investitionssumme

Nach Angaben der Projektpartner wird das Joint Venture SiC-Bauelemente exklusiv für STMicroelectronics herstellen und dabei die ST-eigene SiC-Fertigungstechnologie nutzen. Außerdem wird es als dedizierte Foundry für ST agieren, um die Nachfrage der chinesischen Kunden des Unternehmens zu erfüllen.

Als voraussichtliche Investitionssumme für den Aufbau des Joint Ventures geben die beiden Unternehmen etwa 3,2 Milliarden US-Dollar an, einschließlich Investitionsausgaben in Höhe von etwa 2,4 Milliarden US-Dollar über die nächsten fünf Jahre, die durch Beiträge von STMicroelectronics und Sanan Optoelectronics, Unterstützung der lokalen Regierung und Darlehen an das Joint Venture finanziert werden sollen. (cg)

EU Chips Act zeigt Wirkung

Fokus auf Stromspar-ICs: Neue 300-mm-Chipfabrik in Frankreich

FD-SOI: Globalfoundries und Fraunhofer IPMS entwickeln energieeffiziente Chip-Technologie

(ID:49551860)