SiC-MOSFET Oberflächenmontierter SiC-MOSFET mit 1,7 kV Sperrspannung

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EBV Elektronik GmbH & Co. KG

ROHM Semiconductor GmbH

MEV Elektronik Service GmbH

Die hohe Sperrspannung von 1,7 kV ermöglicht es, schwächere MOSFET durch den SiC-MOSFET zu ersetzen, der ohne Kühlkörper auskommt. Sein SMD-Gehäuse wurde speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt, bietet einen kleinen Footprint mit einer großen Kriechstrom-Distanz von 7 mm zwischen Drain und Source. Möglich ist das durch die geringe Größe sowie das hohe Sperrvermögen der planaren SiC-MOS-Technologie von Wolfspeed. Das Gehäuse besitzt zudem eine separate Kelvin-Verbindung, die das Gate-Ringing reduziert und damit ein reines Gate-Signal bietet. Die 1700-V-SiC-MOSFETs sind insbesondere für den Einsatz in Hilfsstromversorgungen gedacht, etwa in Wechselrichtern für Solar und Wind, Motorantrieben, USV-Anlagen und Bahnstromsystemen. Diese reduzieren üblicherweise die Gleichspannung, um Systemlogistik, Schutzbeschaltung, Displays, Netzwerkinterface und Kühllüfter zu betreiben. Auch sind die MOSFET in Wechselrichter-Applikationen nutzbar, die hohe Blockierspannungen und niedrige Kapazität benötigen.

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