Ende 2015 unterbreitete TDK dem Schweizer Halbleiterhersteller Micronas ein Angebot zur Übernahme, die nun abgeschlossen ist. Beide Firmen sind wichtige Branchenpioniere, wie der Beitrag zeigt.
Bild 1: Das Werkgelände des Halbleiter-Pioniers ITT Intermetall 1960 und das Werkgelände des heutigen Spezialisten für Embedded Motion Control, Micronas 2011 in Freibung (rechts).
(Bild: Micronas)
In einer gemeinsamen Erklärung gaben die TDK Corporation (Tokio) und Micronas Semiconductor Holding AG (Zürich) am 17. Dezember 2015 bekannt, dass die beiden Unternehmen eine bindende Transaktionsvereinbarung abgeschlossen haben, gemäß der TDK ein öffentliches Kaufangebot für alle sich im Publikum befindenden Namenaktien der Micronas Semiconductor Holding AG (Micronas) zu einem Preis von CHF 7.50 je Aktie in bar unterbreitet. Die Bewertung der Transaktion lag bei rund 214 Millionen Schweizer Franken.
Der Artikel skizziert die Historie von Micronas über die Stationen der Intermetall (Gesellschaft für Metallurgie und Elektronik) und ITT bis hin zur TDK Corporation; er zeigt wichtige Pionierleistungen für die Elektronikbranche und wagt einen Blick in die Zukunft.
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Die Geschichte der Halbleiterindustrie ist untrennbar mit einem der bekanntesten deutschen Physiker des 20. Jahrhunderts verknüpft: Herbert Mataré (*1912-†2011). Seine bekannteste Arbeit ist wohl die Entwicklung des ersten funktionsfähigen europäischen Transistors 1945 bis 1948. Mataré erkannte sofort das Potenzial dieser Erfindung und gründete 1952 die Intermetall GmbH in Düsseldorf, zunächst mit nur 14 Mitarbeitern.
Intermetall war die erste Firma weltweit, die Dioden und Transistoren anbot. Die Finanzierung erfolgte über eine US-amerikanische Holding-Firma, die Intermetall 1955 an die Clevite Corporation verkaufte. Zunächst bestand das Produktportfolio von Intermetall aus Germanium-Transistoren und -Dioden.
Karl Seiler (Geschäftsführer 1956 bis 1965) präsentierte 1956 den „ersten deutschen Silizium-Transistor“. Transistoren aus Silizium lagen im Preis jedoch noch deutlich über denen aus Germanium, wodurch die Wirtschaftlichkeit der Neuentwicklung stark angezweifelt wurde: Bei einem Materialeinsatz von 1360 Kristallen konnten im Jahr 1953 gerade einmal 38 funktionierende Transistoren am Tag produziert werden. Intermetall lag mit einer Ausschussrate von 98% damit allerdings international im Trend.
Besondere Meilensteine der Entwicklung bis 1996
Die Preise für Silizium-Transistoren lagen im Juni 1956 mit 38 bis 54 DM bei dem 5- bis 6-fachen vergleichbarer Germanium-Transistoren, die bei Intermetall für 6,70 DM bis 11,20 DM pro Stück angeboten wurden. Germanium konkurrierte noch bis in die 60er Jahre mit dem Silizium. Die weltweite Verbreitung der Integrierten Schaltkreise (IC) brachte den endgültigen Durchbruch für Silizium als vorherrschendes Halbleitermaterial.
Bereits 1960 wurde der erste Wafer in den Markt eingeführt. Mit der Entwicklung immer kleinerer ICs konnten immer mehr davon auf einem Wafer untergebracht werden. Somit erklärt sich auch, weshalb Wafer-Scheiben immer größer werden: Bei größeren Wafern verringert sich der Verschnitt bei gleichzeitiger Erhöhung der Anzahl der ICs. 1971 wurden noch 2-Zoll-Wafer mit einem Durchmesser von 50,8 mm produziert, wohingegen der heutige Wafer-Durchmesser das Acht- bis Neunfache davon betragen kann. Intermetall erweiterte seine Produktpalette fortlaufend, sodass Ende der 50er Jahre ein neuer Standort zur Erweiterung der Produktion gefunden werden musste. Der Südbadische Raum galt Ende der 50er Jahre als Niedriglohngebiet.
1960 wurde dann die Verlagerung der Produktion nach Freiburg im Breisgau vollzogen. Der Personalstand war 1960 auf stolze 730 Mitarbeiter angewachsen. 1965 wurde Intermetall von der europäischen Tochter der US-amerikanischen Firma ITT Industries aufgekauft und hieß von da an „Halbleiterwerk der deutschen ITT Industries GmbH“, in Deutschland bekannt als ITT Intermetall.
Stand: 08.12.2025
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