Als Hersteller von Leistungshalbleitern für den Mikrowellen- und HF-Markt setzt MACOM besonders auf seine 4. Generation der GaN-on-Si-Technologie für Mobilkommunikation und HF-Energie.

Seit der Entdeckung von Graphen stehen zweidimensionale Materialien im Fokus der Materialforschung. Mit ihnen ließen sich unter anderem winzige, leistungsstarke Transistoren bauen. Forscher der ETH Zürich und der EPF Lausanne haben nun aus 100 möglichen Materialien 13 vielversprechende Kandidaten entdeckt.

Entwickler von leistungselektronischen Baugruppen können jetzt auf SiC-Power-MOSFET und -Module zugreifen, die aus Systemsicht preislich fast mit reinen Silizium-Typen konkurrenzfähig sind.

Mit Chip-on-Heatsink hat CeramTec ein Verfahren entwickelt, in dem die Wärmequelle, etwa der Leistungshalbleiter, direkt auf eine metallisierte Wärmesenke per Löten oder Ag-Sintern montiert wird.

Zur Leistungsfaktorkorrektur in Netzteilen bietet die Totem-Pole-PFC-Schaltung Vorteile. Allerdings muss man die Spannungsspitzen beim Nulldurchgang in den Griff bekommen. Hier erfahren Sie, wie das geht.

Das Laden von hochkapazitiven Kondensatorbatterien an Bordnetzen erfordert Buck-Boost-Wandler. Moderne digitale Signalprozessoren lösen bei SYKO nun die bislang analogen Lösungen ab.

TI arbeitet am Design eines umfassenden Qualitätsprogramms auf der Basis der Grundlagen von GaN sowie anwendungsrelevanter Tests. Ziel dieser Maßnahmen ist es, zuverlässige GaN-Lösungen anzubieten.

Derzeit gibt es weltweit noch keinen Massenmarkt für GaN-Halbleiter. Auf dem Weg zur Industriereife sind Aufgaben zu lösen, die vor allem die Themenbereiche Langlebigkeit und Qualität betreffen.

Mit seiner Software-Suite PathWave Design 2021 unterstützt Keysight Entwickler beim Design, Simulation und Verifikation von 5G-Workflows.

EPC demonstriert auf den PCIM Europe digital days 2020 seine eGaN-FETs mit hoher Leistungsdichte und ePower-Leistungsstufen-ICs in Kundenanwendungen.