Nach TI hat nun Nexperia zugeschlagen und die englische Halbleiterschmiede NWF für eine nicht genannte Summe übernommen. Damit sichert sich das chinesische Unternehmen einen signifikanten Marktanteil bei Leistungs- und Automotive-Halbleitern.

GaN-basierte Leistungselektronik: Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF hat es geschafft, per Halbbrücken-Integration Leistungstransistoren auf kleinster Strukturebene in einem Die zu verschachteln.

In den nächsten 12 bis 15 Monaten will Nexperia 700 Millionen US-Dollar in seine europäischen Wafer-Fabriken, in Test- und Montagefabriken in Asien und weltweite F&E Standorte investieren. Auch sollen Forschung und Entwicklung von GaN-Halbleiter vorangetrieben werden.

Die Prozessknotengröße gilt als Maßzahl dafür, wie modern Logikintegration ist. Intel produziert in 7 nm, Samsung in 5 nm, TSMC bald in 3 nm, und IBM hat einen ersten 2-nm-Chip präsentiert. Doch was steckt eigentlich hinter der Skalierung der IC-Strukturen? Wo gibt es Probleme, was ist in Zukunft zu erwarten? Darüber sprach ELEKTRONIKPRAXIS mit Naoto Horiguchi, Director CMOS Device Technology, und Zsolt Tokei, Program Director Nano-Interconnects am Imec.

180 Mitglieder der Mitgliedsfirmen bilden das Europäische Forschungsnetzwerk ECPE. Der Innovation Award, der Students Day, das SiC & GaN User Forum und weitere Aktivitäten sind erfolgreich.

Samsung möchte in der Chipherstellung die Grenzen des physikalisch möglichen endgültig ausloten: Auf dem hauseigenen Foundry Forum in Seoul wurden Pläne für die Fertigung von Chips in einem 3nm-Node-Verfahren auf Basis spezieller MBCFET-Transistoren bekannt gegeben. Zudem sollen noch 2018 erste 7nm-Chips in Serie erscheinen.

Das erste Referenz-Design von STMicroelectronics für die MasterGaN-Module soll demonstrieren, wie mit GaN eine höhere Leistungsdichte und Energieeffizienz möglich sind und das Design vereinfacht werden kann.

Eine SMU mit zwei Kanälen beschleunigt den Test von DC/DC-Wandlern oder unterstützt bei der Analyse von unterschiedlichen Field-Effect-Transistoren. Der Beitrag stellt die beiden Beispiele im Detail vor.

Die von Efficient Power Conversion vorgestellte Leistungsstufe EPC2152-ePower soll für mehr Performance und kleinere Baugrößen bei BLDC-Motoranwendungen sorgen. Mit dem Demo-Board EPC9146 will EPC das belegen.

Der beim Motorstart entstehende Spannungseinbruch kann mit einem so genannten Pre-Booster vermieden werden – einem Aufwärtswandler, der dem eigentlichen System vorangeschaltet ist.