PCIM 2026 Solid-State-Transformer als Baustein neuer Energieinfrastruktur

Was bewegt die Leistungselektronik in nächster Zeit? Am PCIM-Stand von Navitas stehen neue Konversionsarchitekturen für KI-Rechenzentren, Solid-State-Transformer für die Energieinfrastruktur und der bewusst enge Produktfokus auf Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter im Mittelpunkt.

Seit Jahren dreht sich in der Elektronikbranche alles um künstliche Intelligenz – nicht allein um die Potenziale, die in Entwicklung, Forschung und Produktion entfesselt werden können, sondern vor allem wirtschaftlich. Wer Anfang Juni 2026 die Computex in Taiwan besucht hat, weiß, wie konsequent sich derzeit nahezu jeder Hersteller der Elektronikindustrie zum Thema positioniert. Und eine Woche später setzt sich der Hype auf der PCIM in Nürnberg weiter fort.

Während allerdings in Taiwan mit großen Serverracks, modularen Rechenzentren und Wärmemanagement-Lösungen gepunktet wurde, geht es auf der Leistungselektronik-Messe PCIM etwas diskreter zu. Wir haben uns etwa mit Navitas Semiconductor über die Trends unterhalten, die das Unternehmen mit Fokus auf Wide-Bandgap-Anwendungen, also GaN- und SiC-basierenden Leistungshalbleitern, bespielen will.

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Bereits seit dem dritten Quartal 2025 konzentriert sich das Unternehmen auf vier Märkte: KI-Rechenzentren, Netz- und Energieinfrastruktur, Performance Computing sowie Industrieanwendungen. Auf der PCIM 2026 zeigte Navitas Demonstratoren und Referenzdesigns für alle vier Segmente, größtenteils in Zusammenarbeit mit Partnern. Vorgestellt wurden sie uns von Vipin Bothra, VP Global Solution Marketing bei Navitas.

800-V-Architektur: Zwischenschritt entfällt früher als erwartet

Ein zentrales Thema war die Spannungsversorgung in KI-Rechenzentren. Beim Übergang zu 800-V-Architekturen in KI-Rechenzentren ist zunächst eine Zwischenwandlung auf 50 beziehungsweise 48 V vorgesehen, damit bestehende Rack-Architekturen weiter genutzt werden können. Navitas zeigte jedoch einen 20-kW-Demonstrator, der 800 V direkt auf 6 V wandelt.

Bothra selbst rechnet damit, dass dieser direkte Konversionspfad früher in die Praxis kommt als ursprünglich erwartet. „Der Markt wartet nicht“, sagte er sinngemäß. Seiner Einschätzung nach könnten erste Prototyp-Deployments bereits im kommenden Jahr erfolgen – nicht wegen technologischer Reife allein, sondern weil Legacy-Systeme so knapp sind, dass Rechenzentren-OEMs bereit sind, auf neuere, noch weniger erprobte Lösungen zu setzen. Es handelt sich dabei um Bothras persönliche Markteinschätzung, nicht um eine offizielle Ankündigung von Navitas. Im Hinterkopf kann man diese Einschätzung natürlich behalten.

Parallel dazu zeigte Navitas OCP-konforme Netzteile in Leistungsklassen von 4,5 bis 12 kW – Systeme, die auf etablierten Standards basieren und nach Bothras Einschätzung noch drei bis vier Jahre lang stark nachgefragt sein werden, während die Umstellung auf neue Architekturen schrittweise erfolgt.

Solid-State-Transformer: Mittelspannung direkt zu 800 V DC

Im Bereich Netz- und Energieinfrastruktur zeigte Navitas unter anderem eine Solid-State-Transformer-Lösung, die auf Mittelspannungsarchitekturen für 800-V-DC-Rechenzentren zielt und bei der École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) in der Schweiz entstanden ist. Die EPFL-Lösung wandelt 3,3 kV AC auf 800 V DC bei 250 kW; durch modulare Verschaltung sollen höhere Spannungsebenen und Leistungen bis in den Megawattbereich adressierbar werden. Diese Ausführung ist luftgekühlt, doch Bothra erwähnte, dass Kunden bereits an flüssigkeitsgekühlten Varianten arbeiten. Navitas habe dafür ein neues Package entwickelt, das speziell für den Einsatz in Immersionskühlung ausgelegt ist.

Deutschland und Frankreich sieht Bothra als besonders relevante europäische Märkte, weil dort große OEMs im Bereich Netzinfrastruktur aktiv sind. Gleichwohl zeichnet sich in beiden Ländern schon seit Längerem die Herausforderung ab, Energieerzeugung, -speicherung und -transport grundlegend umbauen zu müssen.

Packaging als stiller Innovationstreiber

Apropos Packaging: Ein Punkt, der im Gespräch deutlich wurde, ist, dass sich bei GaN-Devices in den vergangenen Jahren besonders viel auf Packaging-Seite getan hat. Navitas investiert nach eigenen Angaben erheblich in die Entwicklung neuer Gehäuseformen. Für SiC-Module zeigte Navitas Press-fit-Ausführungen, die ohne Lötprozess in die Trägerplatine eingesetzt werden können, sowie Gehäuse, bei denen die Kriechstrecken für höhere Spannungsklassen bis 3.300V angepasst wurden, ohne die Außenabmessungen zu vergrößern.

Im Industriesegment zeigte Navitas GaN-basierte Leistungsstufen für Motoranwendungen in Leistungsklassen von 400W bis 1 kW – ausgelegt für Handwerkzeuge, Pumpen und Haushaltsgeräte. Ein 300-W-Netzteil demonstrierte, welche Leistungsdichte mit GaN heute in kompakten Formfaktoren erreichbar ist, nämlich über 95 Prozent Wirkungsgrad bei sehr kompakter Bauform.

Lieferengpässe? Bewusster Fokus zahlt sich aus

Anders als bei CPUs und Speicherchips sieht Navitas bei seinen eigenen GaN- und SiC-Produkten derzeit keine nennenswerten Lieferengpässe. Bothra führt das auf den engen Produktfokus zurück: „Wir machen nur GaN und SiC – dabei bleiben wir auch.“ Hochläufe seien je nach Produkttyp innerhalb von drei bis neun Monaten realisierbar. Große OEMs seien bereits in laufende Projekte eingebunden. (sb)

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