2500A/1200V-IGBT-Modul für Anwendungen in der Industrie und erneuerbaren Energie

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MES Electronic Connect GmbH & Co. KG

CADFEM Germany GmbH

Shanghai Yongming Electronic Co., Ltd.

Mitsubishi Electric Europe B.V. Factory Automation

Eigenschaften der 6. Generation mit 1700 V

Für das ebenfalls neu entwickelte 1800A/1700V-Dual-IGBT-Modul wurde das gleiche Modulgehäuse wie für das 2500A/1200V-Modul verwendet. Aus diesem Grund werden die Eigenschaften der 1700-V-IGBTs der 6. IGBT-Generation hier ebenfalls kurz vorgestellt. Bild 8 zeigt die VCE(sat) = f(Eoff)-Charakteristik für die 6. und die 5. IGBT-Chipgeneration. Die Sättigungsspannung VCE(sat) wurde bei gleicher Ausschaltverlustleistung um ca. 0,35 V beim Übergang von der 5. zur 6. IGBT-Chip-Generation gesenkt.

Bild 9 zeigt den Einfluss der Schaltflanke (dv/dt) am IGBT auf die Einschaltverluste. Die Einschaltverlustleistung konnte bei gleichen Randbedingungen (dv/dt = 10 kV/s) um ca. 25% von der 5. zur 6. IGBT-Chipgeneration reduziert werden. Weitere neue Module, basierend auf dieser neuen Gehäusetechnologie, befinden sich derzeit in der Entwicklung.

*Ayumi Maruta und Mitsuharu Tabata arbeiten in der Power Device Works bei Mitsubishi Electric Corporation, Tokyo/Japan.

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