Forscher des Ferdinand-Braun-Instituts haben eine Laserquelle entwickelt, die 4 bis 10 ns lange optische Impulse mit einer Pulsspitzenleistung größer 600 W liefert. Einsatz finden die Laserquellen unter anderem als Automotive Lidar.

Willkommen zum nächsten Beitrag der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen“, in der wir versuchen, den Datenblättern von Leistungs-MOSFETs die Unklarheiten zu nehmen. In diesem Beitrag werfen wir einen Blick auf einige weitere Schaltparameter, die man in den Datenblättern von MOSFETs vorfindet. Wir untersuchen, welche Relevanz diese Angaben für die allgemeine Leistungsfähigkeit der Bausteine haben.

Silizium-Transistoren lassen sich nicht mehr verkleinern. Deswegen suchen Forscher nach alternativen Werkstoffen. 2D-Materialien scheinen das Potenzial zur Skalierung zu haben. Wissenschaftler des IMEC haben jetzt Nano-Transistoren auf MoSi2-Basis mit guter Leistungsfähigkeit hergestellt, die tauglich für die Massenproduktion sind.

Logikdichte verdreifacht, Maskenbedarf halbiert, kein Metall-Layer, fertige Produkte in zwei statt in 15 Wochen: Eine neue, Bizen genannte Halbleitertechnik hat laut ihren Entwicklern das Zeug, die heute vorherrschenden CMOS-Verfahren zur Chipfertigung abzulösen – und die Massenproduktion von ICs zurück nach Europa zu holen.

Der 2. Power-Kongress findet vom 25. bis 26. Oktober 2016 in Würzburg statt. Das Kongressprogramm teilt sich in zwei unterschiedliche Stränge. Am ersten Tag geht es um das Design von Stromversorgungen. Am zweiten Tag steht die Auswahl einer passenden Stromversorgung im Mittelpunkt.

In drei Jahren soll der Preis von LEDs um 66 Prozent fallen. Eine Herausforderung für die Entwicklung von Lighting-Produkten.

In MOSFET-Datenblättern muss man wissen, wonach man sucht. Während sich die Bedeutung einiger Angaben, beispielsweise Drain-Source-Spannung, Einwiderstand und Gate-Ladung, sofort erschließt, sind andere, etwa Drain-Strom und SOA-Diagramme, mehrdeutig oder nutzlos. In Teil 1 unserer Serie beschäftigen wir uns mit der UIS-Angabe und der Avalanche-Festigkeit.

In der Leistungselektronik werden Halbleiter auf Silizium-Basis zunehmend von Wide-Band-Gap-Technologien (WBG) auf Basis von GaN und SiC abgelöst. Diese stellen hohe Ansprüche an die passiven Bauelemente – besonders an die Zwischenkreis-Kondensatoren. TDK hat nun Lösungen vorgestellt, mit denen sich die Vorteile der neuen Halbleiter optimal nutzen lassen.

GaN-Theorie und -Anwendungen wie Lidar, DC-DC-Umwandlung und drahtlose Stromversorgung mit Galliumnitrid-FETs und -ICs stehen im Mittelpunkt dieser dritten Auflage von „GaN Transistors for Efficient Power Conversion“ von ECP (Efficient Power Conversion Corporation).

Es ist ein bedeutender Schritt bei der Entwicklung von Mikro-LEDs: Forschern von Plessy ist es gelungen sowohl natives Blau als auch natives Grün auf einem Wafer herstellen.