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Half‑Bridge‑ und 3‑Phasen‑Brückenmodule Leistungsmodule für effiziente Antriebswechselrichter

Quelle: Pressemitteilung 2 min Lesedauer

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StarPower Europe AG
EBV Elektronik GmbH & Co. KG
ROHM Semiconductor GmbH
MEV Elektronik Service GmbH

Neue Half-Bridge- und 3-Phasen-Brückenmodule zielen auf höhere Leistungsdichte und bessere thermische Eigenschaften in elektrischen Antriebssystemen. Si- und SiC-Varianten mit niedrigen Verlusten sollen Effizienz und Robustheit in E-Mobilitäts- und Industrieanwendungen verbessern.

Half-Bridge- und 3-Phasen-Brückenmodule der neuesten Generation kombinieren Si- und SiC-Technologie mit optimiertem Thermomanagement für leistungsdichte Antriebswechselrichter.(Bild: StarPower Europe AG)
Half-Bridge- und 3-Phasen-Brückenmodule der neuesten Generation kombinieren Si- und SiC-Technologie mit optimiertem Thermomanagement für leistungsdichte Antriebswechselrichter.
(Bild: StarPower Europe AG)

Star Power erweitert sein Portfolio um modernste Half‑Bridge‑ und 3‑Phasen‑Brückenmodule für elektrische Antriebssysteme. Die Lösungen basieren auf der jüngsten Chipgeneration des Unternehmens und bieten deutlich höhere Leistungsdichte, verbesserte thermische Eigenschaften und ein optimiertes Kosten‑/Performance‑Verhältnis. Damit adressiert der Leistungshalbleiter-Spezialist die steigenden Anforderungen moderner E‑Mobilitäts‑ und Industrieanwendungen.

Unter Star Powers Neuheiten sind zunächst eine neue Familie umspritzter Half‑Bridge‑Module für Antriebswechselrichter im Leistungsbereich ab 250 kW zu nennen. Diese Module sind sowohl in Silizium- als auch in Siliziumkarbid‑Technologie erhältlich und nutzen die aktuelle Gen3‑Trench‑IGBT‑Generation sowie die SiC‑MOSFET‑Generation 2 mit extrem niedrigen Durchlassverlusten bis herunter zu 1,3 mΩ RDS(on) auf Modulebene. Hochwertige Si₃N₄‑AMB‑Substrate in Kombination mit einer optimierten PINFIN‑Grundplatte sorgen für eine signifikant verbesserte Wärmeabfuhr. Die Baureihe umfasst 750‑V‑ und 1.200‑V‑Varianten, darunter Gen3‑IGBT‑Module mit 750 Arms und 900 Arms sowie 450 Arms und 500 Arms. Die SiC‑Ausführungen stehen mit 1,4 mΩ und 1 mΩ sowie 1,8 mΩ und 1,3 mΩ zur Verfügung.

Zusätzlich erweitert Star Power sein Angebot an gekapselten 3‑Phasen‑Brückenmodulen für Antriebswechselrichter im niedrigen und mittleren Leistungsbereich. Auch diese Module basieren auf der neuesten Gen3‑Trench‑IGBT‑Technologie sowie der SiC‑MOSFET‑Generation 2 mit besonders niedrigen Verlusten ab 2 mΩ RDS(on). Die Kombination aus Si₃N₄‑AMB‑Substraten und PINFIN‑Grundplatte gewährleistet eine hohe thermische Robustheit; optional ist ein integrierter Stromsensor verfügbar. Die Module werden in 750‑V‑ und 1.200‑V‑Versionen angeboten, darunter Gen3‑IGBT‑Varianten mit 350 Arms und 380 Arms sowie 300 Arms. Die SiC‑Ausführungen stehen mit 2,3 mΩ und 2 mΩ sowie 3 mΩ und 2 mΩ zur Verfügung.

Mit diesen neuen Modulen setzt Star Power ein klares Zeichen für technologische Weiterentwicklung und unterstreicht seine Rolle als leistungsstarker Partner für die Elektrifizierung moderner Antriebssysteme. (mr)

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