Kooperation von Winbond und Infineon HyperRAM der 3. Generation: 800 MBit/s über wenige Pins

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Winbond und Infineon entwickeln gemeinsam die HyperRAM-Schnittstelle der 3. Generation. Der energieeffiziente Anschluss arbeitet mit demselben Daten-/Adresssignal, erreicht jedoch die doppelte Bandbreite von jetzt 800 MBit/s.

Winbond Electronics Corporation (Winbond), ein Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen, und Infineon Technologies (Infineon), ein Anbieter von Halbleiter-, Mikroelektronik- und IoT-Lösungen, haben die Erweiterung ihrer HyperRAM-Produktkooperation mit dem neuen HyperRAM 3.0 mit höherer Bandbreite angekündigt.

Die HyperRAM-Produktreihe bietet kompakte Alternativen zu herkömmlichem Pseudo-SRAM und eignet sich gut für IoT-Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und begrenztem Platzangebot, die ein externes RAM außerhalb des Chips benötigen. HyperRAM 3.0 arbeitet mit einer maximalen Frequenz von 200 MHz und einer Betriebsspannung von 1,8 V. Dies entspricht sowohl HyperRAM 2.0 als auch OCTAL xSPI RAM, jedoch mit einer höheren Datenübertragungsrate von 800 MB/s – doppelt so schnell wie bisher. Die neue HyperRAM-Generation arbeitet über eine erweiterte IO HyperBus-Schnittstelle mit 22 Pins.

Erweiterte Schnittstelle mit jetzt 16 Bit

„Infineon bietet eine Familie von Lösungen an, die hohe Leistung in kleineren Formfaktoren für IoT-Anwendungen bereitstellen“, sagt Ramesh Chettuvetty, Senior Director of Marketing and Applications bei Infineon. HyperRAM 3.0 ist die dritte Generation der HyperRAM-Familie, die mit einer neuen, erweiterten 16-Bit-Version der HyperBus-Schnittstelle einen Durchsatz von bis zu 800 MBit/s ermöglicht. Die 256-MBit-HyperRAM-3.0-Bausteine werden jetzt bemustert. „Infineon freut sich über die Zusammenarbeit mit Winbond, um eine breitere Akzeptanz dieser neuen Speichertechnologie zu ermöglichen“.

„Geringe Pin-Anzahl, niedriger Stromverbrauch und einfache Steuerung sind drei Schlüsseleigenschaften von HyperRAM, die dazu beitragen, die Leistung von IoT-Endgeräten deutlich zu verbessern“, sagt Winbond. „HyperRAM vereinfacht das PCB-Layout-Design erheblich, verlängert die Batterielebensdauer mobiler Geräte und arbeitet mit einem kleineren Prozessor durch eine geringere Pin-Anzahl bei gleichzeitig höherem Durchsatz im Vergleich zu Low-Power-DRAM, SDRAM und CRAM/PSRAM“, so Winbond weiter.

Energieeffizienter Speicher für moderne IoT-Geräte

Neue IoT-Geräte führen mehr als nur einfache Maschine-zu-Maschine-Kommunikation aus – sie führen Sprachsteuerung oder winzige ML-Inferenzen durch und benötigen daher eine höhere Speicherleistung. Laut Winbond ist die HyperRAM-Familie „ideal für stromsparende IoT-Anwendungen wie Wearables, Instrumentencluster in Automobilanwendungen, Infotainment- und Telematiksysteme, industrielle Bildverarbeitung, HMI-Displays und Kommunikationsmodule“.

HyperRAM 3.0 ist die neue Generation, die mit demselben Befehls-/Adress-Signal und einem ähnlichen Datenbusformat mit erhöhter Bandbreite und derselben Standby-Leistung bei geringem Pin-Wechsel arbeiten kann. Das erste Mitglied der HyperRAM 3.0-Familie wird ein 256-MB-Baustein in einem KGD-, WLCSP-Gehäuse sein, der je nach Endprodukttyp auf Bauteil-, Modul- oder PCB-Ebene implementiert werden kann.

HyperRAM ist ein Hochgeschwindigkeits-Pseudo-SRAM

HyperRAM ist ein Hochgeschwindigkeits-Pseudo-SRAM mit geringer Pin-Anzahl und niedrigem Stromverbrauch für leistungsstarke eingebettete Systeme, die einen Erweiterungsspeicher für Scratchpad- oder Pufferungszwecke benötigen. HyperRAM wurde 2015 von Infineon (damals Cypress) eingeführt und erfreut sich heute einer ausgereiften und breiten Unterstützung durch führende MCU-, MPU- und FPGA-Chipsatzpartner und Kunden.

Dank seiner Low-Pin-Count-Architektur eignet sich HyperRAM besonders für Anwendungen, bei denen der Stromverbrauch und der Platz auf der Leiterplatte begrenzt sind und externer RAM außerhalb des Chips benötigt wird. Optimierte HyperBus-Speicher-Controller sind von mehreren IP-Anbietern erhältlich.

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