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IGBT-Module

Energiespar-Module für effiziente Umrichter

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Mitsubishi Electric Europe B.V. Semiconductor - European Business Group
Heitec AG
MES Electronic Connect GmbH & Co. KG
ROHM Semiconductor GmbH

Die nächste Generation: X-Serie der New-Dual-HV-IGBT-Module

Auch die Hochvolt-Leistungshalbleiter gibt es in der nächsten Generation: Das Modul X-Series New Dual HV IGBT ist für Traktions- und Drehstromanwendungen in der Schwerindustrie vorgesehen und darauf optimiert, sowohl die Leistungsdichte als auch die Effizienz von Wechselrichtern zu erhöhen. Als Standardgehäuse soll dem Entwickler ein flexibles Design im Aufbau des Umrichters ermöglicht werden.

Ab März 2017 steht die LV100-Version des New-Dual-Moduls mit einer Bemessungsspannung von 3,3 kV zum Bemustern zur Verfügung. Für die Zukunft plant Mitsubishi Electric, die Produktfamilie um eine Version im Spannungsbereich 1700 V und darunter zu erweitern. Es folgen ab 2018 die HV100-Versionen mit Bemessungsspannungen von 3300, 4500 und 6500 V auf den Markt.

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Der Leistungsbaustein New Dual HV IGBT deckt den Bedarf an effizienten Halbleiterbauteilen mit hoher Leistungsdichte für einen großen Leistungsbereich. Auch ihre hohe Energieeffizienz und Leistungsdichte wird durch Nutzung von IGBTs der 7. Generation und RFC-Dioden erreicht. Drei auf dem LV100-Gehäuse befindliche AC-Hauptanschlüsse sorgen für eine bestmögliche Verteilung der Stromdichte.

Das einheitliche Gehäuse beider Module (LV100 und HV100) ermöglicht vielfältige Umrichterkonfigurationen und -leistungen. Einfache Standard-2in1-Anschlüsse gestatten eine optimale Systemauslegung mit Bemessungsleistungen zwischen 1700 V/900 A und 6500 V/225 A, wodurch die Systemkonfiguration für die Anwendungsentwickler skalierbar und viel flexibler wird.

Durch die standardisierten Gehäuseabmessungen von 100 mm x 140 mm x 40 mm können Industrieelektronik-Hersteller das Design vereinfachen und mehrere Bezugsquellen für ihren Wechselrichter sicherstellen. Zudem ist das neue Standard-Gehäuse mit den Anschlüssen von Infineon Technologies kompatibel. Eine verbesserte Gehäusetechnologie und geringe Parasitärinduktivität tragen nicht zuletzt ebenfalls zur bestmöglichen Leistung der Module bei.

Heute blickt Mitsubishi Electric auf mehr als 20 Jahre Erfahrung in der Entwicklung und Produktion von Power-Modulen zurück. Die umfassende Kompetenz reicht von der Chip-Technologie bis zum Package-/Modul-Design. Mit dieser Expertise folgt man kontinuierlich dem Markttrend hin zu kompakteren Modulen mit verbessertem Wirkungsgrad. Im Mittelpunkt aktueller und künftiger Design-Ziele steht u.a. die Nutzung und Entwicklung neuer Materialien und neuer Herstellungsprozesse. Zum weiten Einsatzbereich der Leistungshalbleiter gehören HGÜ, Bahntechnik, alternative Energie, Motorsteuerungen, Automotive, USV, Weiße Ware, Medizintechnik, Aufzüge, Fahrtreppen, Schweißtechnik und Pumpen.

* Quelle: PCIM-Konferenz Mitsubishi Electric mit Dr. Gourab Majumdar, Executive Fellow Semiconductor & Device Group, Tokyo/Japan.

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