Drei Alternativen für geringe Strom- und Leistungsverluste

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Höhere Flexibilität während der Entwicklung

Nachdem eine breite Palette von Anwendungen 1200-V-Hochleistungs-IGBTs benötigt, bietet IR eine Auswahl von Packaging-Lösungen an, um so den Forderungen der Kundendesigns zu entsprechen. Zur Auswahl stehen nackte Wafer für Power-Module sowie einzelne IGBTs im Gehäuse, aber auch IGBT mit Diode, die gemeinsam in einem Standard-Industriegehäuse (TO-247, Super TO-247) untergebracht sind.

Bei einzelnen IGBTs bleibt den Entwicklungsingenieuren die Flexibilität erhalten, ihre Dioden selbst auszuwählen und auf diese Weise ihre Leistung zu maximieren oder einen Kompromiss bei den Kosten einzugehen. Die Leistungsfaktorkorrektur (PFC) oder Verstärkungswandler stellen eine typische Anwendung dar, bei der keine im gleichen Gehäuse untergebrachte Diode erforderlich ist. Die Diode dient lediglich zum Schutz, falls vom Emitter zum Kollektor des IGBT ein Strom fließt. Der Entwicklungsingenieur kann, um dies zu erreichen, auch auf einen kleine externe Dioden zurückgreifen, anstatt eine Hochleistungs-Co-Pack-Diode auszuwählen.

FS-Trench-IGBTs für 1200 V werden mit vierfachen Nennstrom geschaltet, wobei an den Baustein im Endtest 960 V angelegt werden. Dieses Qualitätsprotokoll stellt sicher, dass jeder IGBT auf mögliche Fehler untersucht wurde.

Beim Halbleiter IRG7PSH73K10 handelt es sich um einen IGBT, der mit 75 A den höchsten Nennstromwert in einem diskreten Gehäuse aufweist und der in ein Super-TO247 Gehäuse passt. Ab diesem hohen Nennstromwert ist es oft nicht mehr notwendig , IGBTs parallel zu schalten, um den gewünschten Strom (beispielsweise 75 A) zu erreichen. Zudem erhalten Entwicklungsingenieure die Option, zwischen dem Einsatz von stromsparenden industriellen Modulen und Diskreten ihre Wahl zu treffen.

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Link: Datenblätter und Online-Tool zur Selektion der IGBTs von International Rectifier

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