Auswahlkriterien für nicht flüchtigen Speicher in RAID-Systemen

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Die Wahl des am besten geeigneten NVRAM

Die Wahl des geeigneten nicht flüchtigen Speichers (non volatile RAM – nvRAM) für das Write Journaling ist entscheidend für die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit des Systems. Bei der Entscheidung, welches nicht flüchtige RAM verwendet werden soll, können die folgenden kritischen Parameter zugrundegelegt werden:

• Kurze Lese und Schreibzugriffszeiten: Das nvRAM sollte Lese- und Schreibzugriffe zügig abwickeln können, da ein langsames Journal das gesamte Storagesystem ausbremsen kann.
• Hohe Zuverlässigkeit: Die Zuverlässigkeit der Journaleinträge ist sehr wichtig, um die Vorgaben in Bezug auf Unteilbarkeit, Konsistenz und – noch wichtiger – Langlebigkeit zu erfüllen. Dieser Speicherbereich wird auch zum Ablegen von Konfigurationsdetails und Störungsaufzeichnungen mit entsprechenden Zeitstempeln verwendet. Hohe Zuverlässigkeit und Datenintegrität sind daher unverzichtbar für diese Anwendung.
• Hohe Endurance: Die Daten müssen mit sehr hoher Geschwindigkeit in einen zyklischen Puffer geschrieben werden, weshalb der Journalspeicher eine sehr hohe Dauerhaltbarkeit aufweisen muss.

nvSRAM für das Write Journaling

Das nvSRAM ist die meistbenutzte nicht flüchtige Speichertechnologie für das Write Journaling, denn sie erfüllt alle entscheidenden Anforderungen. Da das Interface von nvSRAMs den herkömmlichen asynchronen SRAMs entspricht, lassen sich sehr kurze Lese- und Schreibzugriffszeiten bis 20 ns erzielen.

Die integrierten, auf SONOS-Technologie basierenden nicht flüchtigen Elemente sorgen für eine zuverlässige Datenspeicherung, ohne dass eine Batterie benötigt wird, um den SRAM-Inhalt bei einem Stromausfall zu sichern. Die Dauerhaltbarkeit der nvSRAMs wird an der Zahl der Stromausfälle gemessen, denn zu einem Schreibtransfer an die nicht flüchtigen Elemente kommt es nur, wenn die Stromversorgung des Systems tatsächlich ausfällt.

Das nvSRAM ist der schnellste nicht flüchtige RAM-Speicher auf dem heutigen Markt und lässt eine unbegrenzte Zahl von Schreibzugriffen zu. Das Sichern der Daten in den nicht flüchtigen Speicher erfolgt bei einem Ausfall der Stromversorgung automatisch mithilfe der in einem kleinen, an den VCAP-Pin des nvSRAM-Chips angeschlossenen Kondensator gespeicherten Energie.

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