SiC-Planar-Power-MOSFET im neuen Low-Inductance-Gehäuse

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Der Footprint ist 52% kleiner als ein D3PAK

Aufgrund der neuen Gehäuse ließen sich alle Vorteile der Hochfrequenz-Leistungsfähigkeit der neuen SiC-MOSFET-Chips vorteilhaft nutzen. Das 4LTO-247-Gehäuse reduziert Schaltverluste im Vergleich zu konventionellen TO-247-3-Packages um das Dreifache. Das oberflächenmontierbare 7LD2PAK-Gehäuse indes ist speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt worden und eliminiere praktisch die Source-Induktivität, die anderen Gehäuseausführungen zueigen sind. Der Footprint des 7LD2PAK ist um 52% kleiner im Vergleich zum D3PAK. Möglich wurde das durch die geringere Die-Größe und das hohe Sperrvermögen der planaren C3M-MOSFET-Technologie.

Durch Einsatz der Neuentwicklung lassen sich die Zahl der Komponenten reduzieren, indem Designer von Silizium-basierten Drei-Level-Topologien zu einfacheren Zwei-Level-Topologien wechseln. Begünstigt werde der Wechsel auch durch das verbesserte Schaltverhalten. Palmour: „Diese MOSFETs mit höherer Spannung lösen viele Einschränkungen von Silizium-basierten Superjunction-MOSFETs, wodurch sie bisher nicht für den Einsatz in Zwei-Level-Topologien geeignet waren. SiC hat eine signifikant geringere nichtlineare Ausgangskapazität, sodass Verlustzeit reduziert und damit der Klirrfaktor in höheren Schaltfrequenzen minimiert werden können.“

Der 75-mΩ-MOSFET im 4LTO247-Gehäuse hat ein Durchgangsloch und ist unter der Artikelnummer C3M0075120K bereits gelistet. Bestellungen sind ab sofort über die Distributoren möglich. Eine oberflächenmontierbare Version soll jetzt als C3M0075120J verfügbar werden. Wie das 4LTO247-Gehäuse auch besitzt das SMD-Bauteil einen Kelvin-Source-Pin, um Gate Ringing und Systemverlusten entgegenzuwirken.

Infineon kündigte im vergangenen Sommer eine Übernahme der Cree-Geschäftseinheit Wolfspeed Power and RF (Wolfspeed) für 850 Millionen US-Dollar in bar an. Der geplante Kaufvertrag mit Cree Inc umfasste auch das Geschäft mit den dazugehörigen SiC-Rohscheiben für Leistungshalbleiter und HF-Leistungsbauelemente.

Das Committee on Foreign Investment in the United States (CFIUS) als ressortübergreifender Genehmigungsausschuss der US-Regierung hat Infineon und Cree informiert, dass der geplante Kauf von Wolfspeed durch Infineon ein Risiko für die nationale Sicherheit der Vereinigten Staaten von Amerika darstellt. Außerdem hat CFIUS keine geeigneten Maßnahmen identifizieren können, die in zufriedenstellender Weise bestimmte nationale Sicherheitsrisiken, die durch die Übernahme entstehen würden, entkräften könnten. Infineon wolle weiterhin sowohl mit CFIUS als auch mit Cree eng zusammenarbeiten, um die Bedenken des CFIUS auszuräumen.

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