Mobile-Menu

Investition in SiC und GaN Nexperia steckt 184 Millionen Euro in Hamburger Standort

Von Susanne Braun 2 min Lesedauer

Anbieter zum Thema

Nexperia B.V.
Heitec AG
ROHM Semiconductor GmbH
MEV Elektronik Service GmbH

Um die Produktionsinfrastruktur am Hamburger Nexperia-Standort für die Herstellung von Leistungshalbleitern sowie die Silizium-Waferfertigung auszubauen, wollen die Verantwortlichen des Unternehmens 184 Millionen Euro investieren. Seit Juni 2024 werden in Hamburg Si-, SiC- und GaN-Technologien entwickelt und produziert.

In Hamburg beschäftigt Nexperia rund 1.600 Mitarbeiter - und investiert nun mehr als 180 Millionen Euro in die Produktionsinfrastruktur.(Bild: Nexperia)
In Hamburg beschäftigt Nexperia rund 1.600 Mitarbeiter - und investiert nun mehr als 180 Millionen Euro in die Produktionsinfrastruktur.
(Bild: Nexperia)

In Hamburg-Lokstedt an der Stresemannallee, gleich um die Ecke von Chemie-Konzern Beiersdorf in Hoheluft, befindet sich der hanseatische Standort von Nexperia. Einst Teil von NXP konzentriert sich das inzwischen eigenständige Unternehmen auf die Fertigung von diskreten Bauelementen, Logikbausteinen und MOSFETs. Und es bekennt sich mit einer angekündigten Millioneninvestition zum Standort an der Elbe, dessen Produktion heutzutage rund ein Viertel des weltweiten Bedarfs an Kleinsignaldioden und -transistoren deckt und etwa 1.600 Mitarbeitern einen Arbeitsplatz gibt.

Ende Juni 2024 teilten die Verantwortlichen des Unternehmens mit, rund 184 Millionen Euro in den Standort Hamburg investieren zu wollen, um zum einen die Produktionskapazitäten von Silizium-Wafern für Dioden und Transistoren zu erhöhen. Zum anderen wird das Geld in die Entwicklung der nächsten Generation von Wide-Bandgap-Halbleitern gesteckt. Seit Juni werden entsprechend alle drei Technologien - Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) - an dem Standort entwickelt und produziert. Die WBG-Technologien haben auch in den Augen von Nexperia ein großes Potenzial und werden immer wichtiger, um die Dekarbonisierungsziele zu erreichen. Entsprechend möchte man sich für die Zukunft gut aufstellen.

„In Zukunft wird unsere Hamburger Fabrik die gesamte Palette der WBG-Halbleiter abdecken und gleichzeitig die größte Fabrik für Kleinsignaldioden und Transistoren bleiben. Wir bleiben unserer Strategie treu, qualitativ hochwertige und kosteneffiziente Halbleiter für Standard- und leistungsintensive Anwendungen zu produzieren und gleichzeitig eine der größten Herausforderungen unserer Generation anzugehen: den wachsenden Energiebedarf zu decken und gleichzeitig die Umweltbelastung zu reduzieren“, so Achim Kempe, COO und Geschäftsführer von Nexperia Deutschland.

GaN(z) SiC(her) neu im Betrieb

Mit der Ankündigung der Investitionen wurden die ersten Produktionslinien für Hochspannungs-GaN-D-Mode-Transistoren und SiC-Dioden in Betrieb genommen. Als nächstes Ziel für die kommenden zwei Jahre wurde die Installation von modernen 200-mm-Produktionslinien für SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs gesetzt. Des Weiteren werden die Kapazitäten von Silizium-Produkten durch die Umstellung auf 200-mm-Wafer erhöht. Anschließend an den Ausbau der Reinraumbereiche steht die Errichtung von neuen Laboren zur Forschung und Entwicklung an. (sb)

(ID:50091536)

Jetzt Newsletter abonnieren

Verpassen Sie nicht unsere besten Inhalte

Mit Klick auf „Newsletter abonnieren“ erkläre ich mich mit der Verarbeitung und Nutzung meiner Daten gemäß Einwilligungserklärung (bitte aufklappen für Details) einverstanden und akzeptiere die Nutzungsbedingungen. Weitere Informationen finde ich in unserer Datenschutzerklärung. Die Einwilligungserklärung bezieht sich u. a. auf die Zusendung von redaktionellen Newslettern per E-Mail und auf den Datenabgleich zu Marketingzwecken mit ausgewählten Werbepartnern (z. B. LinkedIn, Google, Meta).

Aufklappen für Details zu Ihrer Einwilligung

Weiterführende Inhalte