Mobile-Menu

SiC-Fertigung für Leistungselektronik STMicroelectronics baut in Italien den SiC-Campus

Von Susanne Braun 1 min Lesedauer

Anbieter zum Thema

STMicroelectronics
SPEA GmbH Systeme f. professionelle Elektronik und Automation
ET System electronic GmbH
ISH Ingenieursozietät GmbH

200-mm-Siliziumkarbid-Fertigung für Bauelemente für die Leistungselektronik, Test- und Packaging-Möglichkeiten sowie eine SiC-Substratfertigung – all das will der Halbleiter-Spezialist STMicroelectronics auf dem SiC-Campus in Catania, Sizilien einrichten. Die voll integrierte Fertigungsanlage soll bei der Fertigstellung 15.000 SiC-Wafer pro Woche produzieren.

So stellen sich die Verantwortlichen von ST den SiC-Campus vor.(Bild: STMicroelectronics)
So stellen sich die Verantwortlichen von ST den SiC-Campus vor.
(Bild: STMicroelectronics)

Neben Galliumnitrid gewinnt Siliziumkarbid als Wide-Bandgap-Halbleiter zunehmend an Bedeutung und das, obwohl als Silizium weiterhin wichtige Qualitäten zu bieten hat. SiC bietet Eigenschaften wie eine erhöhte Schaltgeschwindigkeit, was die Nutzung des Halbleiters in der Automobilindustrie besonders interessant macht. Und mit zunehmender Elektrifizierung der Alltagsmobilität steigt auch der Bedarf der Branche an SiC-Bauelementen.

Diesen Trend wollen die Verantwortlichen von Halbleiter-Spezialist STMicroelectronics nicht ungenutzt vergehen lassen und planen die Errichtung eines SiC-Campus in Catania auf Sizilien. ST „kündigt den Bau einer neuen 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage für Leistungsbauelemente und -module sowie für Test- und Verpackungszwecke in Catania, Italien, an. Zusammen mit der SiC-Substratfertigung, die derzeit am selben Standort vorbereitet wird, bilden diese Anlagen den Siliziumkarbid-Campus von ST und verwirklichen die Vision des Unternehmens von einer vollständig vertikal integrierten Fertigungsanlage für die Massenproduktion von SiC an einem Standort“, heißt es aus der Mitteilung des Unternehmens.

2 Milliarden Euro Unterstützung von Italien

Der Campus soll nach seiner Fertigstellung im Jahr 2033 als Zentrum des SiC-Ökosystems von ST dienen und integriert sämtliche Schritte der Produktion. Das umfasst die Entwicklung von SiC-Substraten, die Epitaxie-Wachstumsverfahren, die 200-mm-Frontend-Fertigung sowie die Modul-Backend-Montage. Gleichwohl wird auf dem Campus an Prozessen geforscht und entwickelt, werden Produkte designt, F&E-Labore für Dies geschaffen, Stromversorgungssysteme und Module sowie Packaging-Kapazitäten geboten. Damit wird in Europa erstmals, so ST, eine Massenproduktion von 200-mm-SiC-Wafern ermöglicht.

Die Produktion in der Anlage soll 2026 starten und bis zum Jahr 2033 ihre vollen Kapazitäten erreichen – das Ziel ist es, pro Woche 15.000 SiC-Wafer zu produzieren. Die Verantwortlichen rechnen damit, dass insgesamt 5 Milliarden Euro in den Bau des SiC-Campus investiert werden, wobei die italienische Regierung 2 Milliarden über den EU Chips Act beisteuert. (sb)

(ID:50053080)

Jetzt Newsletter abonnieren

Verpassen Sie nicht unsere besten Inhalte

Mit Klick auf „Newsletter abonnieren“ erkläre ich mich mit der Verarbeitung und Nutzung meiner Daten gemäß Einwilligungserklärung (bitte aufklappen für Details) einverstanden und akzeptiere die Nutzungsbedingungen. Weitere Informationen finde ich in unserer Datenschutzerklärung. Die Einwilligungserklärung bezieht sich u. a. auf die Zusendung von redaktionellen Newslettern per E-Mail und auf den Datenabgleich zu Marketingzwecken mit ausgewählten Werbepartnern (z. B. LinkedIn, Google, Meta).

Aufklappen für Details zu Ihrer Einwilligung

Weiterführende Inhalte