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Messerückblick PCIM Europe 2017

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Panasonic Industry Europe GmbH
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ON Semi mit SiC- Lösungen aus MOSFETs und Treibern

ON Semiconductor macht bei Halbleitern mit breiter Bandlücke erhebliche Fortschritte. Das Angebot zur PCIM 2017 umfasst die Siliziumkarbid-Dioden FFSP3065A (650 V) und FFSP20120A (1200 V), die erhöhte Leistungsfähigkeit, Effizienz, Robustheit und Zuverlässigkeit bieten. Darüber hinaus wird das Unternehmen im dritten Quartal 2017 eine komplette SiC-Leistungselektronik- Lösung aus MOSFETs und Gate-Treibern vorstellen.

Alle diese Bausteine tragen dazu bei, den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte in kommenden Stromversorgungen zu erhöhen, versichert ON Semi. Angesichts der wachsenden Nachfrage nach Stromversorgungslösungen, die kleiner, zuverlässiger und langlebiger sind, kommen von ON Semiconductor die neuen Power-Modul-Serien (IPM) SPM2 und SPM3. Diese kompakten integrierten Module bieten eine laut Hersteller einfach zu implementierende Lösung für Wechselrichter-Leistungsstufen in ein- und dreiphasigen Motortreibern bis 5 kW.

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Hohe Leistung und Temperaturwechselbeanspruchung unterstützen kleinere und vereinfachte energiesparende Antriebe, die den geltenden Standards entsprechen, wie z.B. der ErP-Direktive (Energy-related Products) für mehr Energieeffizienz.

Mitsubishi erweitert X-Serie mit acht neuen Modul-Typen

Mitsubishi Electric erweitert die X-Serie ihrer HVIGBT-Modul-Baureihe durch acht neue Modul-Typen zur Erhöhung von Leistung und Reduzierung der Baugröße von Umrichtern (Bild 3). Spannungsklassen sind 3,3 kV, 4,5 kV und 6,5 kV, geeignet für den Einsatz in Traktions-Umrichtern mit hoher Leistung, um die Baugröße in Gleichstrom-Übertragungs-Systemen, Industrieantrieben hoher Leistung sowie in anderen leistungselektronischen Systemen mit hohen Strömen und Spannungen zu verringern. Die Produktfreigabe der neuen Modultypen erfolgt sequentiell beginnend ab September 2017.

Entwickelt wurden drei 3,3-kV-Module (1200 A; 1800 A und 1800 A), zwei 4,5-kV-Module (900 A; 1350 A und 1500 A) und zwei 6,5-kV-Module (600 A und 900 A). Zwei der genannten Modultypen (1800 A/3,3 kV und 1500 A/4,5 kV) erzielen nach Herstellerangaben international Spitzenwerte in Bezug auf die erreichten Nennströme, genau wie der bereits früher freigegebene X-Serien Modultyp 1000 A/6,5 kV.

IGBT der 7. Generation und mit optimierter Gehäusestruktur

Die 7. Generation der CSTBT-Chips und RFC-Dioden-Chip von Mitsubishi Electric führen zu einer 20% Reduzierung der Verlustleistung (X-Serien-Modul CM1200HC-66X im Vergleich zum H-Serien-Modul CM1200HC-66H ). Das neue Chip-Set erlaubt ein etwa 33% kleineres Modulgehäuse (gleiche Werte bei Nennstrom und Nennspannung zugrunde gelegt), was ein Reduzierung der Umrichterbaugröße ermöglicht.

Die maximale Chip-Temperatur Tj(max) von 150 °C während des Betriebs gestattet eine Vereinfachung der Kühlbedingungen, was sowohl zur Reduktion der Umrichterbaugröße nutzbar ist als auch als einen zusätzlichen Freiheitsgrad beim Umrichter-Design bietet. Durch die neue interne Gehäusestruktur wird eine erhöhte Modul-Lebensdauer erreicht, insbesondere durch Verbesserung der Verlustwärmeableitung, einer verbesserten Widerstandfähigkeit gegen Feuchte und durch eine Reduzierung der Entflammbarkeit.

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