TO-Leadless-Leistungshalbleiter Fünf 650-V-SJ-Power-MOSFETs im SMD-TOLL-Gehäuse

Redakteur: Gerd Kucera

Anbieter zum Thema

(Bild: Toshiba)

Mit 9,9 mm x 11,68 mm x 2,3 mm (BxLxH) bieten die Bausteine TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z und TK190U65Z eine um 27 Prozent kleinere Fläche als das herkömmliche D2PAK-Gehäuse. Zu den Anwendungen zählen Server-Stromversorgungen in Rechenzentren, Power-Conditioner für Solarstrom, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und andere Industrieanwendungen. Das Angebot wurde um Produkte der DTMOS-VI-Serie mit niedrigem Durchlasswiderstand bis hinab auf 65 mΩ erweitert. Darüber hinaus bietet das Gehäuse optional eine Kelvin-Source, mit der sich u.a. der Einfluß der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses im Gehäuse verringern lässt. Im Vergleich zum TK090N65Z mit gleicher Spannung und gleichem On-Widerstand im TO-247 ohne Kelvin-Anschluss, hat der TK090U65Z bis zu 68 Prozent weniger Einschaltverluste und um 56 Prozent weniger Ausschaltverluste.

Jetzt Newsletter abonnieren

Verpassen Sie nicht unsere besten Inhalte

Mit Klick auf „Newsletter abonnieren“ erkläre ich mich mit der Verarbeitung und Nutzung meiner Daten gemäß Einwilligungserklärung (bitte aufklappen für Details) einverstanden und akzeptiere die Nutzungsbedingungen. Weitere Informationen finde ich in unserer Datenschutzerklärung.

Aufklappen für Details zu Ihrer Einwilligung

(ID:47321532)