Die nächste Generation für Automobil, Industrie und Medizin

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PTC

ABM Asset and Business Management AG

X-FAB Semiconductor Foundries AG

Das Herzstück des neuen Angebots ist ein 40-V-NMOS-Transistor mit dem industrieweit geringsten Einschaltwiderstand von 26 mΩ-mm². Hinzu kommen robuste 40- und 60-V-Schaltungselemente mit verbesserter ESD-Festigkeit sowie passende PMOS- und Verarmungstransistoren.

Herbig fügt hinzu: „Aufgrund der extrem hohen Anforderungen, wie zum Beispiel des neuesten CAN-Standards und der strengeren Spezifikationen zur EMC- und ESD-Festigkeit, wird die Entwicklung von Schaltkreisen für die Automobilindustrie immer mehr zur Herausforderung. Unsere XT018-Technologie ermöglicht es den Entwicklern, diese Herausforderung zu meistern.“

Laut Herbig lassen sich mit der neuen XT018-SOI-Technologie deutlich kompaktere Entwürfe realisieren als mit der herkömmlichen Sperrschichtisolation. Sie erlaubt platzsparende laterale Isolation zwischen Schaltungsblöcken gegen Übersprechen, etwa für Ausgangstreiber und Messeingänge.

Die einfache Integration von isolierten Schaltungselementen verkürzt den Entwicklungszyklus, sodass selbst für komplexe System-on-Chip-Lösungen, die die Hochvoltanforderungen der Automobilindustrie erfüllen müssen, sofort funktionierende Schaltungsentwürfe machbar sind.

Manufacturing

Production Process for High-Volume GaN-on-Silicon Devices on 200mm Wafers

Die verbesserte XT018-Foundryplattform steht ab sofort zur Verfügung, inklusive voller PDK-Unterstützung für alle wichtigen EDA-Anbieter, umfangreicher Charakterisierung und Modellierung der Schaltungselemente sowie umfassender analoger, digitaler und Speicher-IP. Zusätzliche neue Schaltungselemente wie Verarmungstransistoren, Zener-Dioden, Hochleistungs-Bipolar-Transistoren und ein 200-V-Bipolar-Transistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) sind ebenfalls einsatzbereit.

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