SiC- und GaN-Verbindungshalbleiter Infineon: Zwei Milliarden Euro für Leistungshalbleiter-Fab

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Für mehr als 2 Mrd. Euro baut Infineon eine neue Frontend-Fertigung für Verbindungshalbleiter in Kulim, Malaysia. Damit will der Konzern seine Führungsposition im Wachstumsmarkt Leistungshalbleiter stärken. 2024 sollen erste Wafer die Produktion verlassen.

Erst im September 2021 hat Infineon eine hochmoderne 1,6-Mrd.-Euro-Fabrik für Leistungshalbleiter im österreichischen Villach eröffnet, jetzt legt der Neubiberger Konzern bereits nach: Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in den Ausbau seiner Fertigungskapazitäten für Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Verbindungshalbleiter (SiC und GaN) an seinem Standort im malaysischen Kulim. Damit will das Unternehmen seine führende Position im Markt für Leistungshalbleiter stärken. Bei voller Auslastung soll das dritte Produktionsmodul einen zusätzlichen Jahresumsatz von rund 2 Mrd. Euro mit Produkten auf Basis von Siliziumkarbid und Galliumnitrid ermöglichen.

Andeutungen in diese Richtung hatte der scheidende Infineon-Chef Dr. Reinhard Ploss bereits bei der Eröffnung des 300-mm-Wafer-Werks in Villach gemacht – und betont, dass sein Unternehmen eine „unaufgeregte, langfristige Fertigungsstrategie für die weitere Expansion“ verfolge. Die beschlossene neue Erweiterung „wird von ausgezeichneten Skaleneffekten profitieren, die bereits mit der 200-Millimeter-Fertigung in Kulim erreicht wurden“, teilt der Konzern mit.

Sie werde starke Position von Infineon im Markt für Leistungshalbleiter festigen, „die auf der 300-Millimeter-Fertigung in Villach und Dresden fußt“. Entlang des Ansatzes „Vom Produkt zum System“ baue der eigene Wettbewerbsvorteil auf der Kombination von Technologieführerschaft, einem breiten Produktportfolio und tiefem Applikationsverständnis aufbaut – und diese gelte es zu stärken.

Erneuerbare Energien und Elektromobilität sind Haupttreiber für Wachstum

Auch bei der neuen Fertigung setzt Infineon auf grüne elektrische Energie und „innovative Technologien“, um die CO2-Emissionen so weit wie möglich zu senken, sagt Jochen Hanebeck, Mitglied des Vorstands und Chief Operations Officer von Infineon – und designierter Nachfolger von Ploss, der ab dem 1. April offiziell den Vorstandsvorsitz des deutschen Weltmarktführers für Leistungshalbleiter übernimmt. Den Posten des COO übernimmt an diesem Datum Rutger Wijburg, der auch Vorstandsmitglied von Infineon wird. Erneuerbare Energien und Elektromobilität seien Haupttreiber für ein starkes und nachhaltiges Wachstum der Nachfrage nach Leistungshalbleitern.

Mit dem Ausbau der SiC- und GaN-Kapazitäten bereite sich Infineon auf das beschleunigte Wachstum des Markts für Verbindungshalbleiter vor: „Wir schaffen eine gewinnbringende Kombination mit dem Entwicklungs-Kompetenzzentrum Villach und der kosteneffizienten Produktion von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern in Kulim“, sagt Hanebeck.

Zwei Standorte mit GaN- und SiC-Fertigungskompetenzen stärken die Resilienz der Lieferkette

Nach eigenen Angaben beliefert Infineon bereits heute mehr als 3.000 Kunden mit Halbleitern, die auf SiC-Technologie basieren. In einer Vielzahl an Anwendungen bieten diese Halbleiter Mehrwert durch ihre bessere Systemleistung in Bezug auf Effizienz, Größe und Kosten. Infineon unterstützt den Einsatz von SiC-Halbleitern im Rahmen des strategischen Ansatzes „Vom Produkt zum System“ mit einer „führenden Basistechnologie, dem breitesten Produkt- und Gehäuseportfolio und einem unvergleichlichen Anwendungsverständnis“, erklärt Hanebeck. Schwerpunktanwendungen seien die Bereiche industrielle Stromversorgung, Photovoltaik, Transport, Antriebstechnik, Automotive sowie Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

Infineon strebt mit SiC-Leistungshalbleitern bis Mitte des Jahrzehnts einen Umsatz von 1 Mrd. US-Dollar an. Auch für den GaN-Markt erwartet der Konzern ein starkes Wachstum: von 47 Mio. US-Dollar (2020) auf 801 Mio. US-Dollar (2025) – das entspricht einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 76 Prozent (Quelle Yole, Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor Q3 2021). Für das Erreichen des angepeilten Ziel sieht sich der Konzern gut aufgestellt: „Infineon verfügt über ein führendes System- und Anwendungsverständnis, ein breites GaN-Patentportfolio und ein bedeutendes F&E-Team.“

Start der Wafer-Fertigung im Jahr 2024

Kulim 3 werde bei voller Auslastung 900 „hochwertige Arbeitsplätze“ schaffen. Im Juni starten die Bauarbeiten und die neue Fabrik wird im Sommer 2024 ausrüstungsbereit („ready for equipment“) sein. Die ersten gefertigten Wafer verlassen die Fertigung im zweiten Halbjahr 2024. Die Investition in Kulim wird Prozesse mit großer Wertschöpfungstiefe umfassen, insbesondere Epitaxie sowie die Vereinzelung von Wafern.

„Malaysia ist einer der wichtigsten Standorte von Infineon in der Region“, sagt Dato‘ Seri Mohamed Azmin Ali, Seniorminister und Minister für internationalen Handel und Industrie der Regierung von Malaysia. Die weitere Investition von Infineon stelle das günstiges Ökosystem vor Ort unter Beweis – sowie die Fähigkeit unserer lokalen Talente, langfristiges Wachstum zu fördern. „Die Regierung wird über die Investitionsbehörde MIDA weiterhin eng mit unseren strategischen Investoren daran arbeiten, die Bedeutung von Malaysia als Halbleiter-Drehkreuz in der Region zu stärken.“

Villach stärkt die Rolle als globales Kompetenzzentrum für die Verbindungshalbleiter-Technologie

Der Standort in Villach soll durch die Umwandlung existierender Silizium-Anlagen in den kommenden Jahren weiterhin als Innovationsbasis und globales Kompetenzzentrum für Verbindungshalbleiter dienen, teilt der Konzern mit. Durch die Wiederverwendung von nicht-spezifischer Ausrüstung werden bestehende 150-Millimeter- und 200-Millimeter-Silizium-Fertigungslinien auf SiC and GaN umgerüstet. Der Standort Villach bereite sich gegenwärtig „auf weitere Wachstumsmöglichkeiten vor“.

Mit weltweit rund 50.280 Beschäftigten erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2021 (Ende September) einen Umsatz von rund 11,1 Mrd. Euro und gehört zu den zehn größten Halbleiterunternehmen weltweit.

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