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Patentverletzung im GaN-Wettstreit Infineon verklagt Innoscience vor dem Bezirksgericht in den USA

Von Dipl.-Ing. (FH) Michael Richter 2 min Lesedauer

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Innoscience Europe NV.
Infineon Technologies AG
FAULHABER Antriebssysteme
ROHM Semiconductor GmbH
MTM Power Messtechnik Mellenbach GmbH

Infineon Technologies hat vor dem Bezirksgericht im Northern District of California (USA) eine Klage wegen einer Patentverletzung eingereicht. Im Detail geht es hier um eine von Infineon patentierte Galliumnitrid (GaN)-Technologie.

Nachweis einer Patentverletzung: Der Patenthalter muss in der Regel nachweisen, dass das Patent gültig ist und dass die andere Partei das Patent ohne Erlaubnis genutzt hat.(Bild: frei lizenziert / Pixabay)
Nachweis einer Patentverletzung: Der Patenthalter muss in der Regel nachweisen, dass das Patent gültig ist und dass die andere Partei das Patent ohne Erlaubnis genutzt hat.
(Bild: frei lizenziert / Pixabay)

Wide-Bandgap ist kaum noch aus der Elektroauto-Industrie wegzudenken. Genau aus diesem Grund setzen Halbleiter-Hersteller vermehrt auf GaN. Infineon hat 2023 die Übernahme von GaN-Systems abgeschlossen und wird nach eigenen Angaben zum führenden GaN-Powerhouse.

Der chinesische Halbleiter-Hersteller Innoscience wurde im Dezember 2015 gegründet und hat sich vollständig auf Galliumnitrid spezialisiert. Das Unternehmen kontrolliert die weltweit größte Produktionskapazität für 8-Zoll GaN-on-Si-Wafern. Ziel von Innoscience ist es, GaN-Halbleiter zu erschwinglichen Preisen und in großen Mengen herzustellen, um so eine breite Marktakzeptanz der GaN-Technologie sicherzustellen. Um dies zu schaffen, nutzt Innoscience fortschrittliche Fertigungsmethoden und umfassende Qualitätssicherungs- und Zuverlässigkeitstests. Genau diese sind ihnen nun möglicherweise zum Verhängnis geworden.

Zum aktuellen Zeitpunkt sind noch nicht viele Details bekannt. In einer Pressemitteilung von Infineon gibt der Halbleiter-Hersteller an, dass die Verletzung des Patents durch die Herstellung, den Gebrauch, das Anbieten, den Verkauf und/oder den Import in die USA verletzt worden sei. Die Klage wurde von der österreichischen Infineon Tochter Infineon Technologies Austria am 13.03.2024 eingereicht.

Der Stand vor Gericht

Die beim Bezirksgericht im Northern District of California eingereichte Klageschrift bezieht sich unter anderem auf das von Infineon eingereichte Patent mit der Nummer US 9,899,481 B2. Das Patent bezieht sich auf die Bauweise eines Leistungshalbleiters und auch die dazugehörigen Anschlüsse für die Strom- und Steuerelektroden. Es wird unter anderem die Möglichkeit einer Quellen-Sensing-Funktionalität erwähnt, was darauf hindeutet, dass das Bauteil in der Lage ist, die Quellspannung zu detektieren oder zu überwachen. Hier wird die Bedeutung der Anordnung und Verbindung der verschiedenen Elektroden und Anschlüsse hervorgehoben. Dies könnte Gegenstand der Patentverletzung sein, da eine solche Anordnung notwendig sein kann, um eine zuverlässige Funktion in Anwendungen zu gewährleisten, welche hohe Spannungen und Ströme, sowie schnelle Schaltzeiten erfordern.

„Die Produktion von Galliumnitrid-Leistungstransistoren erfordert völlig neue Halbleiterdesigns und -prozesse“, sagte Adam White, Division President Power & Sensor Systems bei Infineon in der Pressemitteilung. „Mit seiner GaN-Erfahrung aus rund zwei Jahrzehnten kann Infineon die herausragende Qualität garantieren, die für die höchste Leistung der jeweiligen Endprodukte erforderlich ist. Wir schützen unser geistiges Eigentum mit Nachdruck und handeln damit im Interesse aller Kunden und Endverbrauchenden.“  (mr)

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