OptiMOS-T2-Leistungs-MOSFET Infineon hat 100% bleifreie Power-MOSFET für Automotive

Als weltweit erstes Halbleiterunternehmen bringt Infineon Technologies 100% bleifreie und für die Automobilelektronik qualifizierte MOSFETs in TO-Gehäusen auf den Markt.

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Die neuen OptiMOS-T2-Leistungs-MOSFETs gehören laut Hersteller zu den besten in der 40-V-Spannungsklasse, denn sie nutzen Infineons Dünnwafer-Prozess und moderne Gehäuse-Technologie. Infineon verwendet das Diffusionslöten, um den Siliziumchip mit seinem Gehäuse zu verbinden (Die-Attach).

Ergebnis ist ein 100% bleifreies Gehäuse. Das Verfahren stellt ganz besondere Anforderungen an die Gehäusegeometrie, die Dicke der Anschluss-Pads und die Chipgröße. Deshalb ist das Diffusionslöten heute nur für drei Gehäusetypen möglich: TO-220, TO-262 und TO-263. Infineon hat bereits OptiMOS-T2-Produkte in diesen Gehäusen zur Produktionsreife gebracht.

Mit den neuen MOSFETs übertrifft Infineon bei weitem die geltenden RoHS (Restriction on Hazardous Substances)-Vorgaben zur Verbindung von Siliziumchip und Gehäuse mit bleifreiem Lot. Strengere RoHS-Richtlinien des ELV(End of Life Vehicles)-Gremiums könnten jedoch bereits nach 2014 gänzlich bleifreie Gehäuse verlangen. Mit den industrieweit ersten vollständig bleifreien MOSFETs von Infineon können Systemhersteller für die Automobilelektronik diese strengeren Anforderungen erfüllen.

„Bei Leistungshalbleitern und deren Gehäuse-Technologien ist Infineon seit langem Technologieführer“, sagte Frank Schwertlein, Vice President und General Manager, Standard Power der Division Automotive der Infineon Technologies AG, „bei bleifreien Gehäusen sind wir die weltweit ersten auf dem Markt und liefern der Automobilbranche zukunftssichere, RoHS-kompatible und umweltfreundliche MOSFETs für die Entwicklung von energieeffizienten Systemen.“

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