Infineon hat 100% bleifreie Power-MOSFET für Automotive

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Das Die-Attach-Verfahren bringt Zusatznutzen

Das eigenentwickelte bleifreie Die-Attach-Verfahren von Infineon nutzt das Diffusionslöten. Das Verfahren verbessert das elektrische und thermische Verhalten und die Qualität von MOSFETs. Es vereinfacht außerdem deren Fertigung. Die Kombination von Die-Attach-Verfahren und Dünnwafer-Fertigungsprozess (60 µm Dicke im Vergleich zu standardmäßigen 175 µm) hat zahlreiche Verbesserungen für Leistungshalbleiter zum Ergebnis: Grundsätzlich ist die Technologie sehr umweltfreundlich, da weder Blei noch andere toxische Materialien verwendet werden.

Die Kombination aus dem Die-Attach-Prozess mit Diffusionslöten und der Dünnwafer-Technologie sorgt für deutlich geringere R_DS(on)-Werte. Außerdem ist der thermische Widerstand um 40 bis 50% besser. Mit seiner geringeren thermischen Leitfähigkeit wirkt das sonst verwendete bleihaltige Weichlot-Material nämlich als Barriere bei der Ableitung der Wärme, die an der Sperrschicht des MOSFETs entsteht.

Die Fertigung ist einfacher, da das Lot nicht mehr verläuft (Bleed-Out), sich die Chips nicht mehr verbiegen und die R_DS(on)- und R_thJC-Verteilung besser ist. Innerhalb des Produkts gibt es weniger elektromechanische Belastungen, was seine Zuverlässigkeit und Qualität erhöht. Folgende Bausteine im TO-Gehäuse stehen zur Verfügung: der IPB160N04S4-02D (mit 160 A im TO-263-Gehäuse), der IPB100N04S4-02D (100 A, TO-263), der IPP100N04S4-03D (100 A, TO-220) und der IPI100N04S4-03D (100 A, TO-262).

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