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Sechs Anlagen für 1-nm- und 1,4-nm-Prozesse TSMC plant Bau einer 1-nm-Gigafab in Taiwan

Von Sebastian Gerstl 2 min Lesedauer

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Unbestätigten Medienberichten zufolge plant TSMC im Süden Taiwans den Bau einer riesigen Fertigungsanlage für Halbleiter mit Strukturgrößen von 1 Nanometern. „Fab 25“ soll dabei bis zu sechs Produktionsanlagen für 300-mm-Wafer betreiben.

12-Inch-Gigafab „Fab 16“ von TSMC: Während in Arizona Anlagen für Halbleiter im 5-Nanometer-Prozess entstehen und Deutschland in erster Linie als Standort für Legacy-Produkte gedacht ist, könnten in der geplanten „Fab 25“ von TSMC im Süden Taiwans künftig Chips im 1-Nanometer-Prozess vom Band laufen.(Bild: TSMC)
12-Inch-Gigafab „Fab 16“ von TSMC: Während in Arizona Anlagen für Halbleiter im 5-Nanometer-Prozess entstehen und Deutschland in erster Linie als Standort für Legacy-Produkte gedacht ist, könnten in der geplanten „Fab 25“ von TSMC im Süden Taiwans künftig Chips im 1-Nanometer-Prozess vom Band laufen.
(Bild: TSMC)

Der weltweit führende Auftragshersteller für Halbleiter, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), plant angeblich den Bau einer 1-nm-„Gigafab“ für Halbleiter in der Nähe von Tainan in Taiwan. Das meldet die taiwanesische Zeitung United Daily News unter Berufung auf namentlich nicht näher benannte Insider-Quellen. Die Gigafabrik soll demnach im Industriepark von Shalun im Süden Taiwans entstehen.

Demnach soll die geplante Fab 25 sechs Produktionslinien für 300-mm-Wafer beherbergen. TSMC habe gegenüber der Zeitung die Entscheidung weder bestätigt noch dementiert. Es läge aber nahe, dass der Bau der 1-nm-Gigafab in Taiwan fest verfolgt werde, die endgültige Entscheidung für die Wahl des Standorts aber noch ausstehe. „Das Unternehmen nutzt Taiwan als Hauptstandort und schließt keine Möglichkeit aus“, heißt es in dem Artikel.

Wie die United Daily News ausführt, habe TSMC der Southern Taiwan Science Park Administration in Shalun unterbreitet, an dem Ort eine 1,4-nm- und 1-nm-Fab zu errichten. Demnach sollen die geplanten Produktionslinien P1, P2 und P3 zunächst Halbleiter im 1,4-Nanometer-Strukturverfahren produzieren. Die Produktionslinien P4, P5 und P6 seien anschließend für die modernere 1-Nanometer-Technologie zuständig. Allerdings halte man sich die Pläne je nach Fortschritt der Technologien noch offen: Denkbar seien demnach auch, dass die Produktionslinien P1 bis P3 bereits die 1-nm-Technologie einführen und die späteren Linien P4 bis P6 bereits einen 0,7-Nanomenter-Fertigungsprozess in Angriff nehmen.

Ein Zeitplan für den Bau von Fab 25 wurde nicht genannt. Die United Daily News meldet, dass dieser Plan die Entschlossenheit von TSMC demonstrieren würde, in Taiwan zu bleiben und dort seine Spitzenprozesse zu entwickeln. Zwar hat das Unternehmen in den letzten Jahren eine Reihe von Investitionen im Ausland getätigt und unter anderem in den USA, Japan und Deutschland den Bau neuer Fertigungsanlagen in Angriff genommen. Man bleibe aber weiterhin darauf bedacht, die Spitzentechnologien ausschließlich innerhalb von Taiwan zu fertigen. (sg)

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