Starthilfe: 20 Mio. US-$ für deutsches Speicher-Start-Up

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IBR Leiterplatten GmbH & Co. KG

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Schnell, energieeffizient, extrem robust, CMOS-kompatibel und weit skalierbar: Namhafte Investoren glauben an den Erfolg der FeRAM-Speichertechnik von FMC und stellen für die Kommerzialisierung weitere 20 Mio. US-$ bereit.

Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC), Spezialist für ferroelektrische Hafniumoxid-Speichertechnologie mit Sitz in Dresden, hat in einer zweiten Finanzierungsrunde 20 Mio. US-$ Venture Capital gesammelt. ELEKTRONIKPRAXIS hatte bereits 2018 mit dem Gründer und damaligen CEO von FMC, Dr. Stefan Müller, gesprochen und über die interessante „Ferroelektrische RAM“-(FeRAM-)Technik berichtet. Auch andere Halbleiterunternehmen, etwa SK Hynix, Kioxia, Sony und Imec, sprechen der Technik großes Potenzial zu.

Die nichtflüchtige Speichertechnik basiert auf kristallinem, ferroelektrischem Hafniumoxid und zeichnet sich durch geringe Schaltspannungen, extrem niedrigen Stromverbrauch, sehr hohe Schreibgeschwindigkeiten und enorme Skalierbarkeit „bis auf die neusten CMOS-Knoten“ aus. Weitere Vorteile der neuartigen Speicher sind laut FMC die sehr hohe Temperaturstabilität, vollständige magnetische Immunität und hohe Strahlungsfestigkeit. Damals hatte das 2016 als „Ferroelectric Memory Company“ (davon leitet sich das Kürzel FMC ab) gestartete Unternehmen gerade eine Anschubfinanzierung von 4,6 Mio. Euro eingeworben.

Mit Führungsrochade zum erhofften Erfolg?

Unter dem neuen CEO Ali Pourkeramati zieht FMC nun ein Investitionsvolumen an, das für deutsche Tech-Start-Ups ungewöhnlich hoch ist. „Der Erfolg von KI, IoT, Big Data und 5G erfordert neue Speicherlösungen, die eine überlegene Geschwindigkeit und einen extrem niedrigen Energieverbrauch ermöglichen“, sagt Pourkeramati. Gleichzeitig müssten sie mit den modernsten CMOS-Logikprozessen kompatibel sein, die eine günstige Massenfertigung ermöglichen.

Pourkeramati ist einem „Veteran“ der Speicherbranche und kann auf über 35 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie zurückblicken. Zum Beispiel war er bereits in leitender Funktion bei Flash-Entwickler Spansion an Bord, bevor das Unternehmen Ende 2014 mit Cypress fusionierte – das seinerseits seit diesem Jahr zu Infineon gehört. In seiner Karriere hat er 15 Patente für nichtflüchtige Speichertechniken erhalten. Pourkeramati arbeitete rund ein halbes Jahr als COO bei FMC, bevor er dann Ende letzten Jahres die Position des CEOs von Müller übernahm. Müller ist weiterhin als CTO an Bord.

Exponentiell wachsende Zielmärkte bieten hohes Wachstumspotenzial

„Wir sehen ein großes Interesse auf Seiten von Kunden und Entwicklungspartnern an den Vorteilen unserer Technik in Bezug auf schnellen Datenzugriff, höchstmögliche Programmier- und Löschgeschwindigkeit, branchenführende Energieeffizienz und einfache Integration in bestehende Fertigungsprozesse“, sagt Pourkeramati. Diese Finanzierungsrunde würde die Kommerzialisierung der eigenen ferroelektrischen Feldeffekttransistor-(FeFET-) und Kondensator-(FeCAP-)Technologie in exponentiell wachsenden Märkten in den Bereichen KI, IoT, Embedded-Speicher und Hochleistungsrechenzentren beschleunigen.

Die jetzige VC-Runde wird angeführt von den Investoren M Ventures und imec.xpand unter Beteiligung von SK hynix, Robert Bosch Venture Capital und TEL Venture Capital. eCAPITAL, Leadinvestor der Series-A-Finanzierung, beteiligte sich ebenfalls. Ziel der neuen Investorengruppe ist es, FMC entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette zu unterstützen – mit der Absicht, in naher Zukunft ferroelektrische Speicherprodukte auf den Markt zu bringen. Das Unternehmen plant dafür die Erweiterung seines Teams in Dresden und will international expandieren, unter anderem auf den US-amerikanischen und auf asiatische Märkte.

Ursprünglich hatte FMC grob geplant, 2022 mit ersten kommerziellen Produkten auf den Markt zu kommen. Konkrete Aussagen macht das Unternehmen bislang nicht.

Wechsel vom amorphen in den kristallinen Zustand

Die Speichertechnologie von FMC nutzt die ferroelektrischen Eigenschaften von kristallinem Hafniumoxid (HfO2). HfO2 in seiner amorphen Form ist bereits das Gate-Isolatormaterial jedes CMOS-Transistors, vom Planar- bis zum FinFET-Transistor. Die patentierte Technologie von FMC ermöglicht es, amorphes HfO2 in kristallines ferroelektrisches HfO2 umzuwandeln. Auf diese Weise kann jeder Standard-CMOS-Transistor und -Kondensator in eine nichtflüchtige Speicherzelle, einen ferroelektrischen Feldeffekttransistor (FeFET) oder Kondensator (FeCAP) umgewandelt werden.

Neben der hohen Geschwindigkeit, der äußerst geringen Stromaufnahme, der CMOS-Kompatibilität, den geringeren Fertigungskosten und der extremen Temperaturstabilität bietet die FMC-Technologie eine vollständige magnetische Immunität und hohe Strahlungsfestigkeit. FeFETs und FeCAPs können in CMOS-Produktionslinien mit vorhandener Fertigungsinfrastruktur und ohne zusätzlichen Kapitalaufwand integriert werden.

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