Leistungsbauelemente Rohm und TSMC schließen strategische Partnerschaft für GaN-Technologie

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Software spielt im Auto der Zukunft eine große Rolle, der Trend in der Automobilindustrie geht seit Jahren zum softwaredefinierten Fahrzeug (SDV). Benötigt werden dafür unter anderem Leistungsbauelemente mit Galliumnitrid, für deren Serienproduktion Rohm und TSMC eine strategische Partnerschaft geschlossen haben.

Rohm und TSMC vertiefen die Partnerschaft für GaN-Technologie für die Automobilindustrie.(Bild:  Rohm)
Rohm und TSMC vertiefen die Partnerschaft für GaN-Technologie für die Automobilindustrie.
(Bild: Rohm)

Rohm geht als Hersteller elektronischer Bauteile und Halbleiter mit dem Auftragsfertiger TSMC eine strategische Partnerschaft ein, um die Entwicklung und Serienproduktion von Galliumnitrid-Leistungsbauelementen voranzutreiben. Insbesondere zielen die beiden Partner darauf ab, GaN-Bauelemente für die Automobilindustrie herzustellen.

„Die Partnerschaft wird Rohms Technologie zur Entwicklung von Bauelementen mit der branchenführenden GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie von TSMC kombinieren. Damit soll die wachsende Nachfrage nach herausragenden Hochspannungs- und Hochfrequenzeigenschaften für siliziumbasierte Leistungsbauelemente erfüllt werden“, wird in der offiziellen Mitteilung bekannt gemacht. Beide Unternehmen haben bisher bereits bei GaN-Leistungsbauelementen zusammengearbeitet. Rohm hat etwa die 650-V-GaN-HEMT-Technologie von TSMC eingeführt, die zunehmend in Verbraucher- wie Industrieanwendungen zum Einsatz kommt.

„GaN-Bauelemente, die für den Hochfrequenzbetrieb geeignet sind, werden mit Spannung erwartet, da sie zur Miniaturisierung und Energieeinsparung beitragen und so umweltfreundliche Prozesse fördern. Für die Umsetzung dieser Innovationen in der Gesellschaft sind zuverlässige Partner unerlässlich. Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit TSMC, einem Unternehmen, das über eine weltweit führende fortschrittliche Fertigungstechnologie verfügt“, so Katsumi Azuma, Mitglied des Vorstands und Senior Managing Executive Officer bei ROHM. „Zusätzlich zu dieser Partnerschaft möchten wir die Einführung von GaN in der Automobilindustrie fördern, indem wir benutzerfreundliche Lösungen mit Steuer-ICs zur Maximierung der GaN-Leistung bereitstellen.“

„Während wir die nächsten Generationen unserer GaN-Prozesstechnologie weiterentwickeln, erweitern TSMC und ROHM ihre Partnerschaft auf die Entwicklung und Produktion von GaN-Leistungsbauelementen für Automobilanwendungen“, so Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development bei TSMC. „Durch die Kombination von TSMCs Expertise in der Halbleiterfertigung mit ROHMs Kompetenz im Design von Leistungsbauelementen wollen wir die Grenzen der GaN-Technologie und ihrer Implementierung für EVs erweitern.“ (sb)

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