LED/Fototransistor Optoelektronik für Lichtschranken

Für die Anwendung in Lichtschranken und Lichtgittern sind die Leuchtdiode FQR5553 und der Fototransistor FSR3853 konzipiert. Beide Typen sind in einem kragenlosen geraden Gehäuse mit

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Shanghai Yongming Electronic Co., Ltd.

Fietje Sensor- & Opto- elektronik GmbH

Für die Anwendung in Lichtschranken und Lichtgittern sind die Leuchtdiode FQR5553 und der Fototransistor FSR3853 konzipiert. Beide Typen sind in einem kragenlosen geraden Gehäuse mit einem Durchmesser von 4,8 mm untergebracht, das ein Aufreihen im 5-mm-Raster gestattet. Der typ. 8 µs schnelle Fototransistor hat einen herausgeführten Basisanschluss. Die maximale Kollektor-Emitter Spannung beträgt 30 V. Die Sättigungspannung Vce ist 0,3 V bei Ic = 2 mA. Der Verstärkungsfaktor Hfe liegt zwischen 800 und 1300. Der volle Empfangswinkel bei 50% ist typ. 40°. Der Fototransistor wird im schwarzen Epoxygehäuse gefertigt.

Als IR-LED kommt in der FQR5553 ein 870-nm-Chip zu Einsatz, der bei einem typ. Öffnungswinkel von +/-8° eine Abstrahlleistung von typ. 250 mW/sr bei If = 100 mA liefert. Für weitere Anwendungen können auch LEDs im Wellenlängenbereich von 400 bis 950 nm gefertigt werden. Der Fototransistor ist zudem im Klarepoxy-Gehäuse erhältlich.

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