Leistungshalbleiter onsemi entscheidet sich für End-to-End-SiC-Produktion in Tschechien

Von Susanne Braun 2 min Lesedauer

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Das Halbleiterunternehmen ON Semiconductor, kurz onsemi, hatte bereits im Jahr 2023 beschlossen, die Produktionskapazitäten für Siliziumkarbid-Halbleiter auszubauen. Zur Debatte standen die USA, Europa und Asien. Die Zusage gibt es nun für den europäischen Standort in Tschechien, gleich in der Nähe von potenziellen Automotive-Kunden für die Leistungshalbleiter.

onsemi möchte die bereits bestehenden SiC-Produktionskapazitäten in Tschechien erhöhen und will dafür bis zu 2 Milliarden US-Dollar investieren.(Bild:  onsemi)
onsemi möchte die bereits bestehenden SiC-Produktionskapazitäten in Tschechien erhöhen und will dafür bis zu 2 Milliarden US-Dollar investieren.
(Bild: onsemi)

Leistungshalbleiter gewinnen immer mehr an Attraktivität. Das lässt sich nicht nur an den Finanzberichten der Hersteller ablesen, sondern auch an den Bemühungen zum Ausbau der Produktion. Das Interesse an Chips aus Siliziumkarbid (SiC) kommt nicht von ungefähr, denn einige Bereiche erfordern eine hohe Effizienz, hohe Spannungs- und Temperaturbeständigkeit sowie schnelle Schaltgeschwindigkeiten. 

SiC-Chips werden in Wechselrichtern, DC-DC-Wandlern und Ladegeräten für Elektrofahrzeuge eingesetzt, um die Energieeffizienz zu verbessern und die Reichweite zu erhöhen. Abseits davon werden die Chips obendrein in Photovoltaik- und Windkraftanlagen eingesetzt, in Motorsteuerungen und Schaltnetzteilen in der Industrie, in der Luft- und Raumfahrt, und, und, und.

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Kein Wunder, dass SiC-Hersteller nicht nur Kapazitäten erweitern wollen, sondern auch die Nähe zum Kunden suchen. Wolfspeed etwa möchte bereits seit 2023 das weltweit größte Werk für Siliziumkarbid-Halbleiter errichten, und auch wenn die Pläne ins Stocken geraten sind, zeigen sie die große Bereitschaft US-amerikanischer SiC-Produzenten, in die europäische Produktion zu investieren, wo die Automobilindustrie traditionell stark ist. STMicroelectronics will auf Sizilien bauen, Vishay in Itzehoe produzieren und ab sofort weitet Nexperia die Produktion in Hamburg auf SiC und GaN aus. Es tut sich viel und auch onsemi will am Start sein - mit Brownfield-Investitionen in die Erweiterung der bereits bestehenden SiC-Fertigung in Tschechien.

2 Milliarden US-Dollar Investitionen in den kommenden Jahren

Die Verantwortlichen von onsemi planen, sofern die erforderlichen Genehmigungen erteilt und die eine oder andere Subvention garantiert werden, in den kommenden Jahren rund zwei Milliarden US-Dollar in die bereits bestehenden SiC-Produktionsstrukturen in Tschechien zu investieren.

„Diese Investition würde auf den derzeitigen Aktivitäten des Unternehmens in der Tschechischen Republik aufbauen“, so die Mitteilung von onsemi, „zu denen die Siliziumkristallzüchtung, die Herstellung von Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern (poliert und EPI) sowie eine Silizium-Wafer-Fabrik gehören. Heute können an diesem Standort jährlich mehr als drei Millionen Wafer hergestellt werden, darunter mehr als eine Milliarde Leistungsbauelemente. Nach seiner Fertigstellung würde der Betrieb jährlich mehr als 270 Millionen USD (6 Milliarden CZK) zum BIP des Landes beitragen.“

Für onsemi bieten sich Brownfield-Investitionen an, um die 2022 eingeweihte SiC-Fab in Roznov auszubauen. Auf diesem Wege sollten sich die Produktionskapazität wesentlich schneller erhöhen lassen, als wenn zuvor erst ein neues Werk errichtet werden müsste. (sb)

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