Neue Schalttransistoren, zum Beispiel auf Basis von Gallium-Nitrid (GaN), erhöhen die Arbeitsfrequenz von Schaltnetzteilen. Damit ermöglichen sie den Einsatz von kleineren Kondensatoren und Induktivitäten. Induktivitäten mit High-Tech-Kernmaterialien tragen zudem zu einem hohen Gesamtwirkungsgrad der Schaltung bei.
Weiterlesen