So vermeiden Sie fehlerhaftes Schalten bei SiC-MOSFETs

gesponsert

Gate-Treiber-Optokoppler für hohe Schaltfrequenzen

So vermeiden Sie fehlerhaftes Schalten bei SiC-MOSFETs

Siliziumkarbid-MOSFETs sind heute eine zuverlässige Alternative zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs. Erfahren Sie im Whitepaper, wie neue Gate-Treiber-Optokoppler Ansteuerung und Schutz von SiC-MOSFETs vereinfachen und fehlerhaftes Schalten verhindern.

Hohe Schaltgeschwindigkeiten in kleineren Industriegeräten erfordern eine Unterdrückung des Gleichtaktrauschens und eine EMI-Leistung, die nur eine optische Technologie bieten kann. Gate-Treiber-Optokoppler werden in großem Umfang zur Ansteuerung von siliziumbasierten Halbleitern wie IGBTs und Leistungs-MOSFETs eingesetzt, um eine verstärkte galvanische Isolation zwischen den Steuerschaltungen der Hochspannungsseite und den Leistungsbauelementen zu gewährleisten.

Ihre Fähigkeit, starkes Gleichtaktrauschen zu unterdrücken, verhindert dabei eine fehlerhafte Ansteuerung der Leistungshalbleiter während des hochfrequenten Schaltens.

Das englischsprachige Whitepaper beschreibt,

welche Vorteile Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs besitzen,
warum eine Unterdrückung des Gleichtaktrauschens notwendig ist, und
wie Sie die nächste Generation von Gate-Treiber-Optokopplern zum Schutz und zur Ansteuerung von Siliziumkarbid-MOSFETs einsetzen können.

In Zusammenarbeit mit:

Wir freuen uns über Ihr Interesse am Whitepaper! Mit nur einem Klick auf den Button können Sie sich das Whitepaper kostenfrei herunterladen. Wir wünschen interessante Einblicke.

Anbieter des Whitepapers

Avago Technologies GmbH A Broadcom Inc. Company

Kostenloses Whitepaper herunterladen