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„4D-NAND-Speicher“ SK Hynix startet Serienproduktion von 1 TByte-NAND mit 321 Schichten

Von Sebastian Gerstl 2 min Lesedauer

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Im Juni letzten Jahres hatte SK Hynix seinen ersten NAND-Flash-Speicher mit mehr als 200 Schichten präsentiert, nun legt der koreanische Speicherspezialist eine neue Rekordgrenze vor: Der erste 1TByte-NAND-Flashspeicher mit 321 Lagen soll ab der ersten Jahreshälfte 2025 in Serienproduktion verfügbar sein.

SK Hynix hat mit der Massenproduktion des weltweit ersten Triple-Level-Cell-basierten 321-high 4D-NAND-Flash mit einer Kapazität von 1 TByte begonnen. Ab der ersten Jahreshälfte 2025 soll der Speicherchip auf dem Markt erhältlich sein.(Bild: SK Hynix)
SK Hynix hat mit der Massenproduktion des weltweit ersten Triple-Level-Cell-basierten 321-high 4D-NAND-Flash mit einer Kapazität von 1 TByte begonnen. Ab der ersten Jahreshälfte 2025 soll der Speicherchip auf dem Markt erhältlich sein.
(Bild: SK Hynix)

Wenn es im die Stapelung von integrierten Schichten in Speicherchips geht, setzt SK Hynix seit Jahren neue Maßstäbe: Seit der Ankündigung der ersten 96-lagigen 3D-NAND-Chips Ende 2018, werbewirksam vom Unternehmen als „4D-NAND“ bezeichnet, hat das Unternehmen hinsichtlich der Anzahl an Lagen in kompakten NAND-Speicherchips immer wieder neue Maßstäbe gesetzt. Mit der jüngsten Ankündigung wurde nun erstmals die 300er-Marke geknackt: Ab der ersten Jahreshälfte 2025 will der koreanische Speicherhersteller die ersten 1TByte großen Chips, die 321 Schichten vereinen, an Kunden ausliefern.

Der Baustein verspricht nach Angaben von SK Hynix im Vergleich zur Vorgängerreihe eine Verbesserung der Schreibzeit um 12 Prozent sowie eine Verbesserung der Lesezeit um 13 Prozent. Die Vorgängerreihe hatte noch 238 Schichten vereint. Auch die Energieeffizienz soll um zehn Prozent verbessert worden sein.

SK Hynix führt seine Fortschritte beim Stapeln von Schichten in Speicherschips auf die Einführung einer sogenannten „3 Stecker“-Prozesstechnologie („3Plugs“) zurück. Mit Plugs sind hier vertikale Löcher durch Substratschichten hindurch gemeint, um Zellen in einem Schritt zu erzeugen. Bei der Prozesstechnologie werden drei dieser „Stecker“ durch einen optimierten Folgeprozess elektrisch verbunden, nachdem die Durchsteckvorgänge dreimal abgeschlossen wurden.

Für das Verfahren hat SK Hynix ein spannungsarmes Material entwickelt, dass einen Waferverzug durch Materialwechsel in den Steckern verhindert. Die Ausrichtung der Stecker untereinander wird während des Vorgangs automatisch korrigiert. Nach eigenen Angaben konnte das Unternehmen die Produktivität im Vergleich zur vorherigen Generation somit um 59 Prozent steigern.

„SK Hynix ist auf dem besten Weg, zum Full Stack AI Memory Provider aufzusteigen, indem es sein DRAM-Geschäft, das von HBM angeführt wird, um ein perfektes Portfolio im Bereich der Ultra-High-Performance-NAND ergänzt,“ sagt Jungdal Choi, Leiter der NAND-Entwicklung bei SK Hynix. Das Unternehmen strebt mit der Technologie die Marktführerschaft im Speichermarkt für aufwändige KI-Anwendungen an, speziell im Segment SSDs für Rechenzentren und On-Device-KI.

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