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Galliumnitrid-Leistungshalbleiter Serienfertigung von 650-V-GaN-HEMTs angelaufen

Quelle: Pressemitteilung 1 min Lesedauer

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ROHM Semiconductor GmbH
MEV Elektronik Service GmbH
DMB Technics AG

Rohm hat mit der Serienfertigung zweier 650-V-GaN-HEMTs begonnen. Die beiden neuen Typen GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z wurden gemeinsam mit Ancora Semiconductors entwickelt.

Für zwei neue 650-V-GaN-HEMTs mit hoher Schaltleistung gibt Rohm jetzt den Anlauf der Serienfertigung bekannt.(Bild: Rohm Semiconductor)
Für zwei neue 650-V-GaN-HEMTs mit hoher Schaltleistung gibt Rohm jetzt den Anlauf der Serienfertigung bekannt.
(Bild: Rohm Semiconductor)

Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) gelten als Schlüsseltechnologien auf dem Weg zu einer kohlenstoffarmen Gesellschaft, denn sie können helfen, Stromversorgungen und Motoren effizienter zu machen. Nachdem Rohm im letzten Jahr mit der Serienfertigung von 150-V-GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) mit einer Gate-Durchbruchsspannung von 8 V gestartet war und im März 2023 Steuer-ICs zur Leistungsmaximierung von GaN-Bauelementen eingeführt hat, gibt das Unternehmen jetzt den Produktionsanlauf von 650-V-GaN-HEMTs bekannt.

Die beiden neuen Typen GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z wurden gemeinsam mit Ancora Semiconductors entwickelt, einer Tochtergesellschaft von Delta Electronics, die auf die Entwicklung von GaN-Bauelementen spezialisiert ist. Laut Angaben von Rohm bieten die Komponenten besonders gute Werte für den Index RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss , mit dem sich die Schaltleistung der Bauteile bewerten lässt. Ciss bezieht sich auf die Gesamtkapazität auf der Eingangsseite, Coss auf die Ausgangsseite. Je niedriger dieser Indexwert ist, desto höher liegt die erreichbare Schaltgeschwindigkeit und desto geringer sind die Verluste beim Schalten.

Das Ziel: Noch geringere Schaltverluste

Gleichzeitig verbessert ein integriertes ESD-Schutzelement die elektrostatische Durchschlagsfestigkeit auf bis zu 3,5 kV, was zu einer höheren Zuverlässigkeit der Anwendung führt. Die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik der GaN-HEMTs trägt auch zur weiteren Miniaturisierung von Peripheriekomponenten bei.

Die neuen Bausteine sind Teil der EcoGaN-Produktreihe, mit der Rohm durch weiteres Verringern des niedrigen Einschaltwiderstands RDS(ON) und weitere Verbesserung der Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik zu größeren Energieeinsparungen in vielen Anwendungen und zur Miniaturisierung beitragen will. Laut Hersteller eignen sich die neuen Bauelemente sehr gut für eine Vielzahl von Stromversorgungssystemen in Industrieanalgen und Endverbrauchergeräten, einschließlich Servern und Netzteilen. (cg)

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