Gate-Treiber Schalten MOSFETs und IGBTs schneller als alternative ICs

Diodes hat eine Reihe bipolarer Gate-Treiber für Schalt-MOSFETs und IGBTs in Netzteilen und Antrieben angekündigt. Die kostengünstige Serie Zetex ZXGD3000 verkraftet bis zu 9 A. Sie

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Diodes hat eine Reihe bipolarer Gate-Treiber für Schalt-MOSFETs und IGBTs in Netzteilen und Antrieben angekündigt. Die kostengünstige Serie Zetex ZXGD3000 verkraftet bis zu 9 A. Sie umfasst vier schnelle nicht-invertierende Gate-Treiber für einen Versorgungsspannungsbereich von 12 bis 40 V. Die schnelle Emitterfolger-Konfiguration ergibt Verzögerungszeiten unter 2 ns sowie Anstiegs/Abfallzeiten im Bereich von 10 ns. Die Serie unterbindet Latch-up-Effekte und Shoot-through-Phänomene.

Die Bausteine werden im SOT23-Gehäuse mit 6 Anschluss-Pins angeboten. Separate Ausgangs-Pins für Quelle und Senke ermöglichen die Anstiegs und Abfallzeiten getrennt zu steuern. Mit dem Ziel, das Leiterplatten-Layout entscheidend zu vereinfachen und die Leiterbahn-Induktivitäten zu minimieren, wurde die Anschlussbelegung des SOT23-Gehäuses optimiert. Merkmal dieses ‚Flow-through‘-Designs ist die Anordnung der Ein und Ausgänge an gegenüberliegenden Seiten des Bausteins.

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