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High Bandwith Memory Samsung und TSMC kooperieren bei HBM4-DRAM-Speichern

Von Sebastian Gerstl 2 min Lesedauer

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Samsung Semiconductor Europe GmbH
EBV Elektronik GmbH & Co. KG
N & H Technology GmbH
Apacer Technology B.V.

Samsung hat beschlossen, für die Entwicklung seiner Buffer-losen DRAM-Speicher der nächsten Generation, High Bandwith Memory (HBM) 4, eng mit Fertigungsspezialisten TSMC zusammenzuarbeiten. Das verkündete ein hochrangiger TSMC-Manager vergangene Woche auf dem Semicon Taiwan 2024 Forum.

Dan Kochpatcharin, Head of Ecosystem & Alliance Management Division (3DFabric, EDA,IP, DCA, Cloud Alliance), verkündete vergangene Woche auf dem Halbleiterforum Semicon Taiwan erstmals eine Zusammenarbeit der Foundry-Betreiber TSMC und Samsung.(Bild: TSMC)
Dan Kochpatcharin, Head of Ecosystem & Alliance Management Division (3DFabric, EDA,IP, DCA, Cloud Alliance), verkündete vergangene Woche auf dem Halbleiterforum Semicon Taiwan erstmals eine Zusammenarbeit der Foundry-Betreiber TSMC und Samsung.
(Bild: TSMC)

SK Hynix, Samsung und Micron befinden sich in einem engen Wettrennen: Die drei weltgrößten Speicherhersteller streben alle danach, als erstes Unternehmen 2025 die nächste Generation an High Bandwith-Memory-DRAM, auch HBM4 genannt, auf den Markt zu bringen. Wie die koreanische Wirtschaftszeitung The Korea Economic Daily meldet, hat sich Samsung zu diesem Zweck entschlossen, nun erstmals eng mit TSMC bei der Fertigung der neuen Speicher zusammenzuarbeiten.

Die Zeitung beruft sich hierbei auf Aussagen, die Dan Kochpatcharin, Head of Ecosystem and Alliance Management bei TSMC, vergangene Woche auf dem Halbleiterforum Semicon Taiwan 2024 geäußert hat. Demnach sollen die gemeinsam gefertigten HBM4-Speicher eine bis zu 40% bessere Energieeffizienz und 10% niedrigere Latenzzeiten als bisherige HBM3-Speicher besitzen.

Im Vergleich zu Single-Plane-DRAM erreicht HBM höhere Geschwindigkeiten bei der Datenverarbeitung. Der Grund dahinter: HBM verbindet mehrere DRAM vertikal mittels Through-Silicon-Via und Bumps. HBM verbindet mehrere DRAM vertikal mittels Through-Silicon-Via und Bumps.

High-Bandwith-Memory, so benannt für seine besonders große Datendurchsatzraten, ist vor allem im aufstrebenden Bereich der Anwendungen für Künstliche Intelligenz sehr gefragt. SK Hynix, Samsung und Micron bieten derzeit allesamt HBM3E-DRAMs an, möchten aber schon 2025 das HBM4-Format einführen.

SK Hynix hatte erst kürzlich angekündigt, dass der Speicherhersteller Produkte mit der 30-fachen Leistung von HBM-DRAM (High-Bandwidth Memory) entwickeln und kundenspezifische Produkte anbieten will.

Samsung-Speichertechnologie in TSMC-Packaging

Die Kooperation ist insofern bemerkenswerte, als dass Samsung und TSMC eigentlich Konkurrenten im Foundry-Geschäft sind. TSMC stellt allerdings keine Speicher in Eigenregie her, verfügt aber über besonders fortschrittliche Kapazitäten für Multi-Die-Packaging und sogenanntes Chiplet Advanced Packaging, das bei der Herstellung von kommenden KI-Chips besonders gefragt ist. Vor diesem Hintergrund erscheint eine Zusammenarbeit naheliegend.

Wie der Korea Economic Daily meldet, soll die Kooperation der beiden Fertigungsriesen sicherstellen, dass Samsung "maßgefertigte Chips und Services" bereitstellen kann, die bereits von Großkunden wie Google oder NVIDIA angefragt wurden. Obwohl Samsung in der Lage sei, umfassende HBM4-Dienstleistungen anzubieten – einschließlich Speicherproduktion, Foundry und fortschrittliches Packaging – hofft das Unternehmen, die Technologie von TSMC zu nutzen, um mehr Kunden zu gewinnen, ergänzt die Wirtschaftszeitung unter Berufung auf nicht näher benannte, interne Quellen.

Derzeit ist SK Hynix weltmarktführend im Bereich der HBM3-Speicher. Der koreanische Konkurrent von Samsung bedient hier laut DRAMExchange 53% des aktuellen Bedarfs, gefolgt von Samsung mit 35%. Auch SK Hynix setzt bei seiner geplanten Produktion von HBM4-Speichern auf Fertigungstechnologie von TSMC.

(sg)

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