RAM Samsung stellt ersten 128-GB-Arbeitsspeicher vor

Samsung bleibt mit seinem ersten 128-GB-Riegel Vorreiter bei der RAM-Kapazität und setzt dabei wiederum auf die TSV-Technik — statt Draht kommunizieren die Speicher-Chips hier per Elektronen.

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ISH Ingenieursozietät GmbH

Nachdem die Halbleiter-Sparte von Samsung im letzten Jahr schon den ersten DDR4-DRAM-Riegel mit 64 GB in 3D-TSV-Bauweise (Through Silicon Via) vorgestellt hat, bieten die Koreaner nun erstmal einen Arbeitsspeicher mit 128-GB-Kapazität an.

Der Speicher wird vor allem für den Servereinsatz in Unternehmen angeboten und soll laut Samsung neben der Kapazität eine hohe Energieeffizienz bei schnellem Tempo und großer Zuverlässigkeit besitzen.

Der neue Arbeitsspeicher kommt in RDIMM-Bauweise (Registered Dual Inline Memory Module) und besteht aus 144 DDR4-Chips, die in insgesamt 36 4GB-DRAM-Pakete aufgeteilt sind, die wiederum jeweils vier 8-Gigabit-Chips in 20-Nanometer-Technik beinhalten.

Der Hersteller betont, dass herkömmliche Arbeitsspeicher die Chips per Draht miteinander verbinden, während die von Samsung verwendete TSV-Technik auf wenige dutzend Mikrometer dicke Dies setzt, die durch hunderte kleiner Löcher eine Signalübertragung per Elektroden erlauben.

Das Resultat sollen maximale Transferraten von bis zu 2.400 MBit/s bei halbiertem Energieverbrauch sein. Bei zukünftigen Generationen möchte Samsung das Tempo auf bis zu 3.200 MBit/s erhöhen.

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