GaN-Technologie Nach TSMC-Rückzug: Globalfoundries lizenziert GaN-Technologie

Von Susanne Braun 1 min Lesedauer

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Bis Juli 2027 will TSMC seine GaN-Produktionslinien schließen, das wurde im Sommer 2025 bekannt. Die Verantwortlichen von Globalfoundries sehen darin eine Chance und haben jetzt im November 2025 die 650-V- und 80-V-GaN-Technologie des weltgrößten Fertigers lizenziert.

Global Foundries lizenziert GaN-Technologie von TSMC.(Bild:  Global Foundries)
Global Foundries lizenziert GaN-Technologie von TSMC.
(Bild: Global Foundries)

Im Sommer 2025 machten die Chefs von TSMC die Entscheidung bekannt, sich aus dem Feld der Galliumnitrid-Leistungshalbleiter zurückziehen zu wollen. In diesem Bereich wurden nicht mehr die Margen gesehen, die TSMC für ein nachhaltiges Geschäft benötige, insbesondere, weil immer mehr Hersteller aus China auf den Markt drängen und die Preise drücken. Bis zum Sommer 2027 wollte man die GaN-Kapazitäten entsprechend für andere Aufgaben umfunktionieren.

In diese Lücke stößt nun Globalfoundries, wie am 10. November 2025 bekanntgemacht wurde. Das Unternehmen hat eine Lizenzvereinbarung mit TSMC über GaN-Technologie für 650 V und 80 V geschlossen. Der Schritt soll den Ausbau eines US-basierten Portfolios für leistungsstarke Anwendungen in Rechenzentren, Industrie und Automotive beschleunigen. Globalfoundries wird die lizenzierte GaN-On-Silicon-Technologie in seinem Werk in Burlington, Vermont, qualifizieren.

Die 650-V- und 80-V-GaN-Plattformen sollen ab Ende 2026 verfügbar sein und adressieren die steigenden Anforderungen an Effizienz, Schaltgeschwindigkeit und Leistungsdichte in modernen Hochleistungsanwendungen. Hintergrund ist, dass klassische Silizium-Technologien in immer mehr Bereichen an physikalische Grenzen stoßen und GaN als Schlüsseltechnologie gilt, um kompaktere, energieeffizientere und thermisch robustere Leistungshalbleiter zu ermöglichen. (sb)

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