Micron investiert 8,3 Mrd. Euro in neue Produktionsstätte in Japan

High Bandwith Memory Micron investiert 8,3 Mrd. Euro in neue Produktionsstätte in Japan

02.12.2025 Von Sebastian Gerstl 2 min Lesedauer

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Micron will in Hiroshima eine neue Produktionslinie für High Bandwidth Memory (HBM) aufbauen. Der Investitionsumfang soll dabei bei rund 1.5 Billionen Yen (circa 8,3 Mrd. Euro) liegen. Der Produktionsstart ist für 2028 vorgesehen und wird unterstützt durch umfangreiche staatliche Fördermittel.

Micron-Produktionsstätte in Horishima: Der amerikanische Speicherspezialist steckt circa 8,3 Milliarden Euro in den Ausbau seines japanischen Standorts, um bis 2028 eine neue Produktionslinie für High Bandwith Memory in Betrieb zu nehmen.(Bild: Mircon) — Micron-Produktionsstätte in Horishima: Der amerikanische Speicherspezialist steckt circa 8,3 Milliarden Euro in den Ausbau seines japanischen Standorts, um bis 2028 eine neue Produktionslinie für High Bandwith Memory in Betrieb zu nehmen.
(Bild: Mircon)

Micron Technology plant in Hiroshima den Bau einer neuen Fertigung für High Bandwidth Memory. Das Investitionsvolumen beläuft sich nach Angaben aus Branchenkreisen auf rund 1.5 Billionen Yen (etwa 8,3 Milliarden Euro). Der Baubeginn soll im Mai 2025 auf dem bestehenden Werksgelände erfolgen.

Die neue Produktionslinie für fortschrittliche Speichertechnologien ist auf künftige Generationen von HBM-Produkten ausgelegt, die für AI-Beschleuniger von Nvidia, AMD und anderen Anbietern benötigt werden. Der Markt gilt seit Jahren als knapp, da die Nachfrage die verfügbaren Kapazitäten übersteigt. Mit der Erweiterung will Micron seine Marktposition ausbauen und unabhängiger von anderen Produktionsstandorten werden.

Förderung zur Revitalisierung der japanischen Halbleiterlandschaft

Japan unterstützt das Vorhaben mit bis zu 500 Milliarden Yen. Die Förderung ist Teil der nationalen Strategie, die eigene Halbleiterproduktion zu stärken und mehr internationale Hersteller ins Land zu holen. Neben Micron profitieren unter anderem TSMC und das staatlich unterstützte Unternehmen Rapidus von dieser politischen Ausrichtung.

Für Micron knüpft das Projekt an frühere Investitionen in Hiroshima an. Das Unternehmen hatte dort bereits EUV-basierte DRAM-Fertigung angekündigt und dafür staatliche Zuschüsse erhalten. Die neue HBM-Fabrik ergänzt diese Strategie und schafft zusätzliche Fertigungstiefe am Standort. Zudem dürfte der Ausbau der japanischen Produktionsstätte dazu dienen, Microns Position im asiatischen Markt nochmals zu festigen. Das Unternehmen hatte erst kürzlich angekündigt, seine Produktion aus China heraus zu verlagern, nachdem ihm aus politisch motivierten Gründen der Zugang zum hiesigen Server-Geschäft verwehrt worden war.

HBM spielt eine zentrale Rolle in aktuellen und kommenden AI-Systemen. Die Entwicklung hin zu HBM4 und HBM4E setzt engere Prozesskontrolle und höhere Stapelhöhen voraus. Micron will die dafür notwendige Infrastruktur frühzeitig aufbauen, um kommende GPU-Generationen beliefern zu können. Der geplante Produktionsstart im Jahr 2028 fällt in eine Phase, in der die nächste Technologiewelle im Bereich AI-Beschleuniger erwartet wird. Mit der neuen Fertigung will Micron die Versorgungslage verbessern und als Anbieter mit signifikanten Kapazitäten auftreten.

Japan sieht in Projekten dieser Größenordnung einen wichtigen Baustein für die Reindustrialisierung der lokalen Halbleiterlandschaft. Für Micron bietet das Zusammenspiel aus Planungssicherheit, politischer Unterstützung und zusätzlicher Kapazität einen stabilen Rahmen für langfristige Investitionen.

Micron-Standort in Shanghai, China. 2023 hatte die chinesische Regierung ein Infrastrukturverbot ausgesprochen, dass dem US-amerikanischen Speicherhersteller den Zugang zum rapide wachsenden KI-Markt in China verbaut hatte. Nun zieht der Speicherhersteller die Konsequenzen und zieht sich offiziell aus dem chinesischen Servermarkt zurück. (Bild: Micron)

(sg)

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Stand: 08.12.2025

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