Strategische GaN-Allianz EPC lizenziert eGaN-Technologie an Renesas

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Efficient Power Conversion (EPC) und Renesas Electronics Corporation bündeln ihre GaN-Kompetenz – und greifen damit die Effizienzgrenzen des Siliziums frontal an. Die Allianz könnte Power-Architekturen grundlegend verändern.

Am 10. Februar 2026 haben Efficient Power Conversion und Renesas Electronics eine umfassende Lizenzvereinbarung geschlossen. Ziel der Kooperation ist es, die Marktdurchdringung von Galliumnitrid-(GaN)-Leistungshalbleitern deutlich zu beschleunigen und gleichzeitig die Versorgungssicherheit in dynamisch wachsenden Märkten zu stärken.

Im Rahmen der Vereinbarung erhält Renesas Zugang zu EPCs bewährter Low-Voltage-eGaN-Technologie im Enhancement-Mode sowie zu dessen etabliertem Lieferketten-Ökosystem. Beide Unternehmen planen darüber hinaus, innerhalb eines Jahres interne Waferfertigungskapazitäten für diese Produkte aufzubauen. Zusätzlich wird Renesas ausgewählte, bereits in Großserie produzierte GaN-Bauteile von EPC als qualifizierte Second Source fertigen. Damit entsteht eine technologische und zugleich strategische Partnerschaft mit klarem Fokus auf Skalierung und Resilienz.

GaN als Antwort auf die Grenzen des Siliziums

Die Leistungselektronik steht vor einem strukturellen Wandel. Steigende Anforderungen an Effizienz, Leistungsdichte und Miniaturisierung setzen klassische Silizium-MOSFETs zunehmend unter Druck. Besonders bei hohen Schaltfrequenzen und schnellen Flanken stoßen siliziumbasierte Technologien physikalisch an ihre Grenzen.

GaN-Transistoren bieten hier entscheidende Vorteile. Sie ermöglichen höhere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Schaltverluste und kompaktere Bauformen. Diese Eigenschaften eröffnen neue Freiheitsgrade im Design von DC-DC-Wandlern und Point-of-Load-Architekturen. Vor allem in Niederspannungsanwendungen mit hohen Strömen lassen sich so Effizienzgewinne erzielen.

Portfolio-Erweiterung vom Hochvolt- bis zum Niederspannungsbereich

Renesas hatte sein GaN-Portfolio bereits zuvor durch die Übernahme von Transphorm gestärkt. Dessen Hochvolt-GaN-Technologie adressiert vor allem Anwendungen oberhalb von 650 Volt, darunter AC-DC-Netzteile, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und industrielle Antriebssysteme. Die Technologie ist auf hohe Zuverlässigkeit selbst unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen ausgelegt.

Mit der Lizenzierung der Low-Voltage-eGaN-Technologie von EPC erweitert Renesas dieses Portfolio nun im unteren Spannungsbereich. Damit entsteht ein durchgängiges GaN-Angebot von Low- bis High-Voltage-Anwendungen. Gerade in modernen AI-Architekturen, in denen Leistungswandler von 48 Volt über 12 Volt bis hinunter in den Sub-1-Volt-Bereich transformieren, sind extrem effiziente und kompakte Lösungen gefragt. GaN ermöglicht hier eine deutliche Steigerung der Leistungsdichte bei gleichzeitig reduziertem thermischem Aufwand.

Bedeutung für Rechenzentren und autonome Systeme

Der Energiebedarf von AI-Rechenzentren wächst rasant. Jede Verbesserung im Wirkungsgrad wirkt sich unmittelbar auf Betriebskosten und Kühlkonzepte aus. GaN-basierte Leistungswandler erlauben höhere Schaltfrequenzen und damit kleinere magnetische Komponenten sowie kompaktere Module. Das reduziert sowohl Bauraum als auch Verluste.

Auch autonome Systeme in Industrie und Mobilität profitieren von diesen Eigenschaften. Höhere Leistungsdichte bei geringerem Gewicht und besserem thermischem Verhalten schafft Spielraum für kompaktere und effizientere Gesamtsysteme. Die Zusammenarbeit zwischen EPC und Renesas adressiert somit zentrale Zukunftsmärkte.

Lieferkettensicherheit als strategischer Hebel

Neben technologischer Leistungsfähigkeit gewinnt die Absicherung von Lieferketten zunehmend an Bedeutung. Besonders in Rechenzentrums- und Automotive-Anwendungen verlangen Kunden qualifizierte Second-Source-Optionen, um Risiken zu minimieren. Durch die parallele Fertigung ausgewählter EPC-Produkte bei Renesas wird die Versorgung geografisch diversifiziert und strukturell abgesichert.

Diese Maßnahme erhöhen die Marktfähigkeit in sicherheitskritischen Anwendungen. Die Allianz ist daher mehr als eine reine Lizenzvereinbarung; sie ist ein strategischer Schritt zur Industrialisierung von GaN über den gesamten Spannungsbereich hinweg. (mr)

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