EUV-Lithografie Zeiss bringt AIMS EUV 3.0 in die Produktion mit dreifachem Maskendurchsatz

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Zeiss hat die neue Generation seines Maskenqualifizierungssystems AIMS EUV 3.0 bei ersten Chipfertigern in Betrieb genommen. Die Plattform prüft EUV-Photomasken schneller, läuft stabil im Reinraumalltag und bildet sowohl Low‑NA- als auch High‑NA‑Scanner nach. Der Maskendurchsatz steigt laut Unternehmen auf das Dreifache, die Systeme zeigen hohe Verfügbarkeit und konstante Leistung.

Am 8. September 2025 meldete Zeiss Semiconductor Manufacturing Technology (SMT) die Markteinführung aus Oberkochen und Taipeh. Zwei Anlagen laufen bereits im Kundenbetrieb und erfüllen die zugesicherten Kennwerte. Die neue AIMS‑Generation adressiert den wachsenden Druck in den Maskenshops: kürzere Zyklen, mehr Varianten, engere Spezifikationen, bei zugleich sinkenden Stückkosten.

Warum die Maskenqualifizierung zählt

Die Photomaske entscheidet, was später auf dem Wafer ankommt. Defekte, Partikel oder Bildfehler schlagen direkt in Ausbeuteverlusten auf. Deshalb prüfen Hersteller jede Maske unter scannernahen Bedingungen, bevor sie in der Linie belichtet. Zeiss bündelt dafür seine Photomasken‑Expertise im Geschäftsbereich Semiconductor Mask Solutions (SMS). „Die Photomaske ist das Herzstück der Lithographie und damit ein wichtiger Hebel für die Leistungsfähigkeit moderner Mikrochips“, sagt Dr. Clemens Neuenhahn, Leiter Zeiss SMS.

AIMS EUV vergleicht die Druckleistung einer Maske nicht nur geometrisch, sondern bewertet deren Abbildung als Luftbild – so wie sie der Scanner sieht. Mit AIMS EUV 3.0 zielt Zeiss auf höhere Produktivität im Maskenshop und auf eine robustere, kostensensitive Produktion. „Mit AIMS EUV 3.0 bieten wir eine zukunftssichere Lösung, die technologisch überzeugt und unseren Kunden im Produktionsalltag echten Mehrwert schafft – durch höhere Produktivität, Flexibilität und Betriebssicherheit“, so Neuenhahn.

Eine Plattform für Low‑NA und High‑NA

Technologisch bleibt Zeiss beim optischen Grundkonzept des Vorgängers, öffnet die Plattform aber für die nächste Scanner‑Generation. AIMS EUV 3.0 ist vollständig kompatibel zur High‑NA‑EUV‑Technologie (0,55 NA, anamorph) und deckt zugleich die weit verbreitete Low‑NA‑Bildgebung (0,33 NA, isomorph) ab. Maskenshops können damit parallel für beide Roadmaps qualifizieren und Lastspitzen abfangen – ohne Toolwechsel.

Eine Kernfunktion ist die flexible Illumination. Dabei lassen sich beliebige Beleuchtungs‑Settings einstellen, um auch komplexe Scannerkonfigurationen nachzubilden. So testen Teams gezielt kritische Strukturen, OPC‑Layouts oder neue Prozessfenster. Laut Zeiss steigt der Maskendurchsatz im Vergleich zur Vorgängerversion um das Dreifache. Das entlastet Engstellen in der Qualifizierung und reduziert Wartezeiten Richtung Wafer‑Scanner.

Im Feld: stabile Verfügbarkeit, bestätigte Kennwerte

Die ersten beiden AIMS‑EUV‑3.0‑Systeme liefen nach der Installation zügig im Produktionsmodus an. „Das positive Kundenfeedback bestätigt uns, dass wir mit AIMS EUV 3.0 die Anforderungen adressieren, die für die nächste Generation der Halbleiterfertigung entscheidend sind. Es motiviert uns, den Weg gemeinsam mit unseren Kunden und Partnern weiterzugehen“, sagt Dr. Axel Zibold, Head of Sales & Customer Support bei Zeiss SMT. Aus Herstellersicht zählt neben dem Durchsatz vor allem die planbare Verfügbarkeit – hier verweist Zeiss auf stabile Performance im 24/7‑Einsatz.

Für die Branche passt das Timing: Während Scannerhersteller High‑NA in die Fertigung bringen, brauchen Maskenshops Werkzeuge, die beide Welten abdecken und verlässliche, scannergleiche Aussagen liefern. AIMS EUV 3.0 zielt genau darauf – mit einem konsistenten Optik‑Design, das sich in den letzten Generationen bewährt hat, und einer Plattform, die sich entlang der Roadmaps weiterziehen lässt. (mc)

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