Auftragsfertigung von Wide-Bandgap-Technologien X-FAB bietet ab sofort GaN-on-Si-Foundry-Services für dMode-Bauelemente

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X-FAB Silicon Foundries hat im Sommer 2025 in seiner 8-Zoll-Fab in Dresden GaN-on-Si-Foundry-Services gestartet. Mit der XG035-Plattform stehen ab sofort offene MPW-, Prototyping- und Produktionsoptionen für dMode-Geräte zur Verfügung.

Luftaufnahme der X-FAB bei Dresden aus dem virtuellen Rundgang.(Bild:  X-FAB)
Luftaufnahme der X-FAB bei Dresden aus dem virtuellen Rundgang.
(Bild: X-FAB)

Der belgische Auftragsfertiger baut damit sein Portfolio an Wide-Bandgap-Technologien weiter aus. Neben SiC-Prozessen ergänzt nun GaN-on-Si das Angebot – insbesondere für Anwendungen in Automotive, Rechenzentren, Industrie, Medizintechnik und erneuerbaren Energien. Im Fokus stehen dMode-HEMT-Transistoren mit Spannungsbereichen von 100 bis 650 V, die häufig in der Leistungswandlung eingesetzt werden.

Die Fertigung erfolgt im Dresdner Werk von X-FAB, das über spezialisierte Anlagen und Messtechnik für GaN verfügt und zugleich ein etabliertes, automotivetaugliches CMOS-Umfeld bietet. Dort können Kunden neben dMode auch eMode-HEMTs oder Schottky-Barrieren-Dioden entwickeln lassen. „Dank 30 Jahren Erfahrung in der Automobil-CMOS-Technologie bieten wir Qualität und eine deutlich niedrigere Eintrittsbarriere“, so Michael Woittennek, CEO von X-FAB Dresden.

Die Nachfrage nach GaN-Lösungen steigt weltweit – getrieben durch Elektromobilität, Ladeinfrastruktur, Energiemanagement und den wachsenden Strombedarf von KI-Rechenzentren. GaN-on-Si ermöglicht hohe Schaltfrequenzen, niedrige Durchlasswiderstände und eine kompakte Bauweise. Zur Unterstützung stellt X-FAB ein PDK für den vereinfachten Designprozess bereit. Ab dem vierten Quartal 2025 ist zudem ein öffentliches MPW-Shuttle verfügbar, bei dem mehrere Kunden einen Wafer-Run teilen können. Das senkt die Einstiegshürden für Prototyping und Kleinserienfertigung. (sb)

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