Siliziumkarbid-Halbleiter Wolfspeed und ZF planen SiC-Forschungszentrum im Raum Nürnberg

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Nach den Plänen für eine Fab im Saarland sehen die Projektpartner das jetzt angekündigte gemeinsame F&E-Zentrum für SiC-Leistungselektronik in der Region Nürnberg als weiteren Eckpfeiler für ein zukünftiges europäisches SiC-Technologienetzwerk.

Vorstellung des geplanten SiC-Forschungszentrums im Raum Nürnberg durch (v.r.) Wolfspeed-CEO Greg Lowe, den ZF-Vorstandsvorsitzenden Holger Klein, den bayerischen Ministerpräsident Markus Söder und Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger.(Bild:  ZF Group)
Vorstellung des geplanten SiC-Forschungszentrums im Raum Nürnberg durch (v.r.) Wolfspeed-CEO Greg Lowe, den ZF-Vorstandsvorsitzenden Holger Klein, den bayerischen Ministerpräsident Markus Söder und Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger.
(Bild: ZF Group)

Ziel des Forschungs- und Entwicklungszentrums ist es laut Angaben von ZF und Wolfspeed, die Siliziumkarbid-Technologie (SiC) in Bezug auf Systemdesign, Modulstruktur und die Produktionsprozesse deutlich weiterzuentwickeln. Innovationen für Siliziumkarbid-Systeme, -Produkte und -Anwendungen sollen entstehen, welche die gesamte Wertschöpfungskette vom Modul bis zum Komplettsystem abdecken und so die Zeit bis zur Markteinführung verkürzen.

Mit diesem Projekt soll bereits der zweite Baustein für ein europäisches SiC-Technologienetzwerk in Deutschland entstehen, zusätzlich zum Anfang des Jahres angekündigten Bau einer Fab im Saarland. Kein Wunder, dass nicht nur die deutsche Bundesregierung das Vorhaben unterstützt, sondern auch die bayerische Landesregierung – bei der offiziellen Ankündigung der Pläne vor Ort vertreten durch den bayerischen Ministerpräsident Markus Söder und den bayerischen Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger.

Europäisches SiC-Netzwerk angestrebt

Aber auch die EU soll das Vorhaben fördern, daher steht die Finanzierung des neuen Zentrums unter dem Vorbehalt der Genehmigung durch die Europäische Kommission im Rahmen des EU-Programms „Important Project of Common European Interest“ (IPCIE) – wie schon im Fall der geplanten Wolfspeed-SiC-Fab im saarländischen Ensdorf. Mit der IPCEI-Finanzierungsgenehmigung für beide Projekte rechnen die Partner im Laufe dieses Jahres. Und auch die vorherige Zustimmung der zuständigen Behörden, insbesondere der Kartellbehörden, ist noch erforderlich.

Angesichts der Projektpartner liegt es nahe, dass sich das gemeinsame Forschungszentrum mit den Anforderungen in allen Bereichen der Mobilität befassen soll, vom Individualverkehr über Nutz-, und Landwirtschafts- bis zu Industriefahrzeugen. Doch auch bei Anwendungen in Industrie und Erneuerbaren Energien sollen Wirkungsgrad und Leistungsdichte verbessert werden.

Weitere Netzwerkpartner sollen folgen

ZF und Wolfspeed wollen weitere Organisationen aus Wissenschaft und Industrie einladen, das angestrebte umfassende europäische Siliziumkarbid-Technologie-Netzwerk aufzubauen. Zu diesem Zweck beabsichtigt ZF seine Mitgliedschaft im European Center of Power Electronics (ECPE) zu nutzen und wichtige Forschungsergebnisse auf europäischer Ebene auszutauschen. Im Laufe der Zeit soll sich das Forschungszentrum zu einem Elektronik- und Halbleiter-Campus entwickeln.

Dr. Holger Klein, Vorstandsvorsitzender von ZF, streicht die Bedeutung des geplanten Forschungszentrums für die Energie- und Mobilitätswende in der EU und die strategischen Ziele Europas heraus und ergänzt: „Darüber hinaus treibt die Optimierung der Siliziumkarbid-Technologie den industriellen Wandel voran und stärkt die Unabhängigkeit der europäischen Lieferketten.“

„Wichtig für Europas strategische Ziele“

„Diese Forschungseinrichtung stärkt unsere Partnerschaft mit ZF“, kommentiert Wolfspeed-CEO Greg Lowe und nennt das Vorhaben einen Beleg für das langfristige Engagement seines Unternehmens, das Know-how aus mehr als 35 Jahre Erfahrung in der SiC-Leistungselektronik in Lösungen für die Industrie umzusetzen.

ZF-Vorstandsmitglied Stephan von Schuckmann ist überzeugt, dass die Verbindung mit Wolfspeed zu enormen Fortschritten bei elektrischen Systemen und Antrieben auf SiC-Basis führen wird: „Möglich wird dies durch die enge Vernetzung von Forschung und Produktion, denn grundlegend neu gestaltete Siliziumkarbid-Chips erfordern auch neue Produktionsverfahren.“ (cg)

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