Leistungselektronik Wolfspeed stellt 10-kV-SiC-MOSFET für Hochspannungsanwendungen vor

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Wolfspeed hat nach eigenen Angaben den ersten kommerziell verfügbaren Siliziumkarbid-MOSFET mit einer Sperrspannung von 10 kV vorgestellt. Das Bauelement zielt auf Anwendungen in Mittelspannungs-Netzinfrastrukturen, industrieller Elektrifizierung und Hochleistungs-Rechenzentren ab.

Wolfspeeds neues Produkt, ein SiC-Leistungshalbleiter mit einer Sperrspannung von 10 kV.(Bild:  Wolfspeed)
Wolfspeeds neues Produkt, ein SiC-Leistungshalbleiter mit einer Sperrspannung von 10 kV.
(Bild: Wolfspeed)

US-Halbleiterhersteller Wolfspeed hat Anfang März 2026 einen neuen Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) angekündigt, der eine Sperrspannung von 10 kV erreicht. Nach Angaben des Unternehmens handelt es sich dabei um den ersten kommerziell verfügbaren MOSFET dieser Spannungs­klasse. Zielanwendungen sehen die Verantwortlichen von Wolfspeed insbesondere in der Modernisierung von Stromnetzen, in der industriellen Elektrifizierung sowie in der Energieversorgung großer Rechenzentren.

Das Bauelement wird zunächst als Bare-Die angeboten und soll eine hohe Systemzuverlässigkeit ermöglichen. Laut Hersteller zeigen TDDB-Analysen (Time-Dependent Dielectric Breakdown) eine theoretische Lebensdauer von bis zu 158.000 Jahren bei kontinuierlicher Gate-Bias-Spannung von 20 V. Zudem soll ein bislang kritisches Zuverlässigkeitsproblem, die sogenannte bipolare Degradation bei SiC-MOSFETs dieser Spannungsklasse, adressiert worden sein.

Die hohe Sperrspannung eröffnet neue Systemarchitekturen in der Leistungselektronik. So könnten etwa mehrstufige Inverter-Topologien reduziert werden. Wolfspeed nennt als mögliche Effekte eine Systemkostenreduktion um etwa 30 Prozent, eine Leistungsdichte-Steigerung von über 300 Prozent durch höhere Schaltfrequenzen sowie geringere thermische Anforderungen bei Wirkungsgraden von bis zu 99 Prozent. Der neue 10-kV-MOSFET (CPM3-10000-0300A) steht derzeit für Musterlieferungen und Qualifikation zur Verfügung. (sb)

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