Texas Instruments baut zweite 300-mm-Wafer-Fabrik in Lehi

Analog- & Embedded-Chips Texas Instruments baut zweite 300-mm-Wafer-Fabrik in Lehi

21.02.2023 Von Kristin Rinortner 2 min Lesedauer

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Texas Instruments, Inc.

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Texas Instruments baut seine nächste 300-mm-Waferfertigungsstätte in Lehi im US-Bundesstaat Utah. Die neue Fab wird in unmittelbarer Nachbarschaft der dort bereits bestehenden 300-mm-Fabrik (LFAB 1) des Unternehmens entstehen.

300-mm-Chip-Fabrik: Visualisierung der ersten Pläne für die nächste 300-mm-Wafer-Fab von Texas Instruments unmittelbar neben der bestehenden Fabrik des Unternehmens in Lehi (Utah/USA).(Bild: TI) — 300-mm-Chip-Fabrik: Visualisierung der ersten Pläne für die nächste 300-mm-Wafer-Fab von Texas Instruments unmittelbar neben der bestehenden Fabrik des Unternehmens in Lehi (Utah/USA).
(Bild: TI)

Seit Mitte Februar ist es offiziell: Texas Instrument baut mit LFAB2 eine zweite 300-mm-Wafer-Fabrik in Lehi, Utah. Der Baubeginn soll in der zweiten Jahreshälfte 2023 erfolgen, die Produktion bereits 2026 aufgenommen werden. Künftig sollen die Fabriken LFAB1 und LFAB2 als eine Einheit operieren. Schwerpunkt sind Analog- und Embedded-ICs. Die Kapazitäten ergänzen zudem die 300-mm-Fabs DMOS6, RFAB1 und RFAB2 in Texas.

TI hatte die heutige LFAB 1 2021 von Micron Technology für insgesamt 1,5 Mrd. US-Dollar gekauft, ein Schnäppchen. In der Fabrik hatten Intel und Micron in einem Joint Venture nichtflüchtige Speicher von 2015 bis 2018 produziert.

Die Texaner wollten in Lehi Analog- und Embedded-Chips mit Strukturbreiten von 65 und 45 nm fertigen. Man sei aber zusätzlich in der Lage, bei Bedarf die Strukturbreiten zu verändern, erklärte das Unternehmen damals.

Neben der Erweiterung der Fertigungskapazitäten wurde die Akquisition auch als strategischer Schritt gesehen, der auf den Automotive-Markt zielt. LFAB 1 war die vierte 300-mm-Wafer-Fabrik des Unternehmens und ergänzt die Produktionsanlagen DMOS6 (Dallas) und RFAB1 und RFAB2 (Richardson) in Texas. Gleich vier neue 300-mm-Fabriken baut TI außerdem im texanischen Sherman, deren Produktion 2025 beginnen soll.

300-mm-Roadmap von TI

„Die neue Fab ist Bestandteil unserer langfristigen 300-mm-Roadmap zum Aufbau der Fertigungskapazitäten, auf die unsere Kunden in den nächsten Jahrzehnten angewiesen sein werden”, bestätigt Haviv Ilan, Executive Vice President und Chief Operating Officer von TI und designierter President und Chief Executive Officer des Unternehmens.

Der Bau der zweiten Fabrik wird zu einem großen Teil durch den „CHIPS and Science Acts“ gefördert. Die Gesamtinvestition liegt laut TI bei 11 Mrd. US-Dollar. Neben etwa 800 zusätzlichen Arbeitsplätzen direkt bei TI wird die Erweiterung der Fabrik in Lehi auch Tausende indirekter Jobs schaffen.

Nicht zuletzt soll die neue Wafer-Fab die Rolle Utahs als Zentrum der weltweiten Halbleiterfertigung zementieren sagt Spencer Cox, Gouverneur von Utah.

Die Fabrik wird so konzipiert, dass sie gemäß dem LEED-Klassifizierungssystem (Energy and Environmental Design) für energiesparendes Bauen eines der besten Resultate (LEED Gold) in Sachen strukturelle Effizienz und Nachhaltigkeit erzielt. Geplant ist beispielsweise, die Wasserrückgewinnungsquote gegenüber der bestehenden Fab in Lehi zu verdoppeln. Moderne 300-mm-Produktionsanlagen und entsprechende Prozesse sollen das Abfallaufkommen sowie den Wasser- und Energieverbrauch pro Chip weiter verringern. (kr)

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