IsoGap und SiC-DCBreaker sind zwei weitere BMBF-Projekte mit einer Laufzeit von drei Jahren, die derzeit im Mittelpunkt des ECPE e.V stehen. Der Bund fördert die Forschung mit 3 Mio. €.

Beim Entwickeln von Stromversorgungen sind teilweise diametrale Anforderungen von System, Board und IC zu berücksichtigen. Mit der flexiblen AnDAPT-Power-Plattform lässt sich diese Aufgabe erleichtern.

Großer Wirbel um winzige Strukturen: Intel hat Spekulationen widersprochen, dass es seine 10-nm-Fertigungstechnik aufgibt. Wie das Unternehmen seinen bereits bestehenden Rückstand auf Samsung und TSMC in Punkto EUV-Fertigung wettmachen will, bleibt indes unklar.

Nach TI hat nun Nexperia zugeschlagen und die englische Halbleiterschmiede NWF für eine nicht genannte Summe übernommen. Damit sichert sich das chinesische Unternehmen einen signifikanten Marktanteil bei Leistungs- und Automotive-Halbleitern.

Panasonic stellt auf der electronica 2018 sein breitgefächertes Portfolio vor. Ein besonderes Highlight sind die Vorführungen der preisgekrönten Warr-Hyperloop-Pod und der zugehörigen Technologie. Hinzu kommen moderne Lösungen für Energiespeicher und IoT-Konnektivität.

GaN-basierte Leistungselektronik: Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF hat es geschafft, per Halbbrücken-Integration Leistungstransistoren auf kleinster Strukturebene in einem Die zu verschachteln.

In den nächsten 12 bis 15 Monaten will Nexperia 700 Millionen US-Dollar in seine europäischen Wafer-Fabriken, in Test- und Montagefabriken in Asien und weltweite F&E Standorte investieren. Auch sollen Forschung und Entwicklung von GaN-Halbleiter vorangetrieben werden.

Die Prozessknotengröße gilt als Maßzahl dafür, wie modern Logikintegration ist. Intel produziert in 7 nm, Samsung in 5 nm, TSMC bald in 3 nm, und IBM hat einen ersten 2-nm-Chip präsentiert. Doch was steckt eigentlich hinter der Skalierung der IC-Strukturen? Wo gibt es Probleme, was ist in Zukunft zu erwarten? Darüber sprach ELEKTRONIKPRAXIS mit Naoto Horiguchi, Director CMOS Device Technology, und Zsolt Tokei, Program Director Nano-Interconnects am Imec.

180 Mitglieder der Mitgliedsfirmen bilden das Europäische Forschungsnetzwerk ECPE. Der Innovation Award, der Students Day, das SiC & GaN User Forum und weitere Aktivitäten sind erfolgreich.

Das erste Referenz-Design von STMicroelectronics für die MasterGaN-Module soll demonstrieren, wie mit GaN eine höhere Leistungsdichte und Energieeffizienz möglich sind und das Design vereinfacht werden kann.