Prozesstechnik Spannungsskalierbare Hochvolt-Transistoren

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ROHM Semiconductor GmbH

Der Geschäftsbereich Full Service Foundry von ams stellt seine Erweiterung der Prozessplattform für 0,35-µm-Hochvolt-CMOS-Technologie vor. Damit umfasst der Prozess H35 nun auch eine Reihe durchgängig spannungs-skalierbarer Transistoren, die erhebliche Verbesserungen hinsichtlich Platzbedarf und Leistung bieten. Die spannungsskalierbaren Hochvolt-NMOS- und -PMOS-Transistoren sind für eine Vielzahl an Spannungsstufen der Drain-Source-Spannung von 20 bis 100 V optimiert. Sie weisen einen signifikant niedrigeren Einschalt-Widerstand auf und sparen Siliziumfläche. Verwendet man in einem Power-Management-IC einen optimierten 30-V-NMOS-Transistor statt eines 50-V-Transistors, so bedeute das beinahe 50% weniger Platz. Ein für 60-V-optimierter NMOS-Transistor braucht etwa 22% weniger Platz als ein Standard NMOS-Transistor mit 120 V. Die platzoptimierten Hochvolt-Transistoren sind geeignet für eine breite Palette von Anwendungen, etwa MEMS- und Motortreiber sowie Automotiv und Medizin.

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