Siliziumkarbid-Technik hält Einzug in den Antrieben der Formel E

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Weitere Verbesserungen durch SiC-MOSFETS

Siliziumkarbid ist die chemische Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff – gefertigt in einem aufwendigen Verfahren der Einkristall-Züchtung bei einer Prozesstemperatur von über 2000 °C. Die Vorteile von SiC im Vergleich zum noch gängigen Material Silizium sind vielfach: Leistungselektronische Systeme werden kompakter und verbrauchen weniger Energie.

Die etwa halbierte Gerätegröße und das dadurch eingesparte Gewicht ermöglichen dem Motorsport zusätzlich eine bessere Gewichtsverteilung. SiC-Module können mit höheren Lasten und Spannungen arbeiten und sind durch deutlich reduzierte Schaltverluste charakterisiert.

Der Inverter im Venturi-Monoposto für die dritte Saison enthält SiC-Schottky-Dioden und ist damit zwei Kilogramm leichter als das Einheitsmodell der Vorsaison. Die elektrische Effizienz stieg um 1,7%, zugleich schrumpfte das Volumen des Kühlsystems um 30%.

„Doch das ist erst der Anfang“, versichert Kazuhide Ino, „für die vierte Saison werden durch den Einbau von SiC-MOSFETs weitere große Entwicklungsschritte und entsprechend deutliche Verbesserungen möglich.“

Sponsoring und Technologiepartnerschaft

Für die Automobilindustrie und die Elektromobilität werden SiC-Anwendungen und leistungsstarke Inverter immer wichtiger. Durch das Sponsoring-Debüt macht SiC-Hersteller ROHM global auf seine ehrgeizigen Ziele im Segment der elektrischen Antriebstechnik aufmerksam.

Dieses Engagement ist nach Angaben der Power-Experten aus Kyoto ein großer Schritt und soll auch auf die gesellschaftlichen Aktivitäten im Segment Energie hinweisen.

Kazuhide Ino: „Die Vorteile von SiC, die für viele Industrien relevant sind, werden durch das Projekt mit Venturi klar herausgestellt. Die Formel E demonstriert wie effizient die SiC-Technologie funktioniert und ihren Weg in die Serienproduktion und Alltagsanwendungen finden wird.“

SiC-Halbleiter

SiC-SBDs und Full-SiC-IPM

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