Dieses Whitepaper zeigt, wie zentrale Parameter wie RDSon-Temperaturdrift, Schwellspannungstoleranz, Gate-Ladung, Gate-Treiberspannung und Body-Dioden-Verluste die Effizienz und Zuverlässigkeit von SiC-MOSFET-basierten Systemen beeinflussen. Entwickler erfahren praxisnah, wie sich diese Faktoren auf Leitungsverluste, Schaltstabilität und Lebensdauer auswirken – und wie sie die passenden Bauelemente für ihre Anwendung auswählen. Jetzt Whitepaper herunterladen und Design-Know-how vertiefen!

Im Whitepaper erfahren Sie unter anderem:

• wie die RDSon-Temperaturdrift die Leitungsverluste beeinflusst
• warum eine enge Schwellspannungstoleranz den Parallelbetrieb sichert
• welche Rolle das Gate-Ladungsverhältnis für Schaltstabilität spielt
• wie die Gate-Treiberspannung Verluste und Lebensdauer bestimmt
• warum Body-Diode und Qrr für Effizienz in Brückentopologien entscheidend sind