MOSFET Sehr niedrige Gate-Spannung

Zetex Semiconductors hat drei neue n-Kanal-Anreicherungs-MOSFETs vorgestellt, die speziell für Applikationen mit limitierten Ansteuerspannungen entwickelt wurden. Die drei Bausteine

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Zetex Semiconductors hat drei neue n-Kanal-Anreicherungs-MOSFETs vorgestellt, die speziell für Applikationen mit limitierten Ansteuerspannungen entwickelt wurden. Die drei Bausteine 20V ZXMN2B03E6 (SOT-236), ZXMN2B14FH und ZXMN2B01F (beide SOT-23) bieten ein verlustarmes Schalten bei einer VGS von 1,8 V. Sie lassen sich damit mit zwei 1,2-V-Zellen oder einer Lithium-Ionen-Zelle betreiben. Aufgrund der besonders geringen Gate-Ansteuerung lassen sie sich zudem direkt von Logik-Gates ansteuern. Der RDS(ON) dieser drei MOSFET-Bausteine wird mit jeweils weniger als 75, 100 und 200 mΩ an 1,8 VGS sowie 40, 55 und 100 mΩ an 4,5 VGS garantiert. Mit dieser Spezifikation eignen sich die drei Bausteine besonders für Niederspannungsanwendungen, einschließlich Pegelumsetzungen in High-Side-Sperrschaltern, externes Schalten in Boost-Umsetzerschaltungen sowie das Puffern von Niederspannungs-Mikrocontrollern und Lasten (etwa Motoren und Spulen). Schnelles Schalten ist eine weitere spezielle Eigenschaft der firmeneigenen und proprietären UMOS-Technologie. So betragen z.B. die Anstiegs- und Abfallzeiten des Bausteins ZXMN2B01F lediglich 3,6 und 10,5 ns bei einer VGS = 4,5 V und einem ID = 1 A.

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