Leistungs-MOSFET Niedrigster On-Widerstand dieser Klasse

Vishay Siliconix präsentiert einen 20-V-p-Kanal-TrenchFET-Gen-III-Leistungs-MOSFET mit dem nach eigenen Angaben niedrigsten On-Widerstand unter allen vergleichbaren Typen im SO-8-Gehäuse:

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EBV Elektronik GmbH & Co. KG

ROHM Semiconductor GmbH

Shanghai Yongming Electronic Co., Ltd.

Vishay Siliconix präsentiert einen 20-V-p-Kanal-TrenchFET-Gen-III-Leistungs-MOSFET mit dem nach eigenen Angaben niedrigsten On-Widerstand unter allen vergleichbaren Typen im SO-8-Gehäuse: nur 1,9 mOhm bei 10 V bzw. 2,5 mOhm bei 4,5 V und 3,9 mOhm bei 2,5 V. Der niedrige On-Widerstand der TrenchFET-Gen-III-MOSFETs verringert die Durchlass- und Schaltverluste.

Der Baustein Si7137DP ist vorgesehen zur Verwendung als Netzadapterschalter und für Lastschalteranwendungen in Notebook-Computern und industriellen/allgemeinen Systemen. Für Anwendungen die bisher mit einem 20-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET ausgekommen wäre, aber einen 30-V-Typ einsetzten (weil nur dieser einen geeignet niedrigen On-Widerstand aufwies) ist der Si7137DP eine Alternative.

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