Power-over-Ethernet: MOSFETs statt Dioden
Mit MOSFETs zum energieeffizienten PoE-gespeisten IoT-Gerät
Bei Power-over-Ethernet-gespeisten Geräten sollten die zur Polaritätskorrektur eingesetzten Brückengleichrichter selbst nur wenig Leistung aufnehmen. Erfahren Sie im Whitepaper, wie Sie durch die Verwendung von MOSFETs die Effizienz verbessern.
Power-over-Ethernet (PoE) ermöglicht einen kostengünstigen Aufbau von Netzwerken. Mit zunehmender Funktionalität von PoE-PDs (PoE-Powered-Devices), wie IoT-Geräten, steigt jedoch deren Leistungsaufnahme an. Dennoch müssen sie innerhalb des vom PoE-Power-Source-Equipment (PSE) zur Verfügung gestellten Leistungsbudgets bleiben. Damit rückt bei neuen Entwicklungen die Energieeffizienz der Brückengleichrichter der PoE-PDs zur Polaritätskorrektur in den Fokus. Die dafür bisher eingesetzten Dioden-basierten Brückengleichrichter besitzen aufgrund ihrer Flussspannung eine relativ hohe Verlustleistung. Abhilfe schaffen hier MOSFET-basierte Brücken.
Erfahren Sie im englischen Whitepaper,
Wir freuen uns über Ihr Interesse am Whitepaper!
Mit nur einem Klick auf den Button können Sie sich das Whitepaper kostenfrei herunterladen. Interessante Einblicke wünscht Ihnen Ihr ELEKTRONIKPRAXIS-Team.
Erfahren Sie im englischen Whitepaper,
- wie Brückengleichrichter mit integrierten MOSFETs in PoE-PDs funktionieren,
- warum MOSFET-Brücken gegenüber konventionellen Schottky-Brücken eine bis zu 10-fach geringere Verlustleistung aufweisen, und
- welche anderen Vorteile, neben einer höheren Effizienz, kleineren Abmessungen und einer besseren thermischen Stabilität, MOSFET-Brückengleichrichter bieten.
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